[發明專利]半導體設備及其阻抗調節方法

在審

• 申請號: 201710538291.3
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN107227446A
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 徐寶崗;董博宇;文莉輝;耿玉潔;郭冰亮;王軍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 焦玉恒

技術領域

本公開的實施例涉及一種半導體設備以及半導體設備的阻抗調節方法。

背景技術

在半導體制作工藝中，半導體設備是一種常用的形成各種半導體膜層和導體膜層的工具。例如，在發光二極管(Light Emitting Diode，LED)的制作工藝中，可采用半導體設備形成位于藍寶石基底和n型氮化鎵(n-GaN)氮化鋁(ALN)薄膜，從而提高該LED的電性能，包括亮度、靜電釋放性能等。

在通常的半導體設備中，濺射電源通過電極引入工藝腔室后耦合到工藝氣體中，從而激發氣體為等離子體，在等離子體中電子和離子作用下，完成薄膜沉積。

發明內容

本公開實施例提供一種半導體設備和半導體設備的阻抗調節方法。該半導體設備包括多個腔室，各所述腔室包括被配置為承載基片的基座，至少一個所述腔室設置有阻抗調節電路，所述阻抗調節電路被配置為調節對應腔室的所述基座與接地端之間的阻抗，以使所述多個腔室的所述阻抗保持一致。

在一些示例中，所述阻抗調節電路包括：第一調節電路和第二調節電路兩者中的至少之一，所述第一調節電路包括可變電容線路，用于將多個所述腔室中偏高的所述阻抗調低；所述第二調節電路包括可變電阻線路和可變電感線路兩者中的至少之一，用于將多個所述腔室中偏低的所述阻抗調高。

在一些示例中，所述可變電容線路包括可變電容；所述可變電阻線路包括可變電阻，所述可變電感線路包括可變電感。

在一些示例中，所述可變電容線路包括第一開關，所述可變電阻線路還包括第二開關，所述可變電感線路還包括第三開關。

在一些示例中，所述第二調節電路包括所述可變電阻線路和所述可變電感線路，且二者并聯設置。

在一些示例中，所述第二調節電路包括所述可變電阻線路和所述可變電感線路，且二者串聯設置。

在一些示例中，所述阻抗調節電路包括所述第一調節電路和所述第二調節電路，且二者并聯設置。

在一些示例中，所述第一調節電路和所述第二調節電路兩者中的至少之一的一端連接至第一節點，另一端連接至第二節點，所述第一節點與對應腔室的所述基座相連，所述第二節點接地。

在一些示例中，所述第二節點直接接地。

在一些示例中，所述可變電容的電容值在50pF-1μF的范圍內。

在一些示例中，所述可變電阻的電阻值在100Ω-100KΩ的范圍內。

在一些示例中，所述可變電感的電感值在100μH-2000μH的范圍內。

在一些示例中，所述腔室還包括腔體，所述基座位于所述腔體內部，所述阻抗調節電路位于所述腔體外部。

本公開至少一個實施例還提供一種根據上述任一項所描述的半導體設備的阻抗調節方法，包括：調節所述阻抗調節電路的阻抗以調節對應腔室的所述基座與接地端之間的阻抗，以使所述多個腔室的所述阻抗保持一致。

本公開實施例提供半導體設備和半導體設備的阻抗調節方法可使得多個腔室的所述阻抗保持一致，從而提高產品的品質。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1為一種半導體設備中腔室的結構示意圖；

圖2為另一種半導體設備中腔室的結構示意圖；

圖3a為本公開一實施例提供的一種半導體設備的平面示意圖；

圖3b為本公開一實施例提供的一種半導體設備中腔體的結構示意圖；

圖3c為本公開一實施例提供的一種半導體設備中阻抗調節電路的示意圖；

圖3d為本公開一實施例提供的另一種半導體設備中阻抗調節電路的示意圖；

圖3e為本公開一實施例提供的另一種半導體設備中阻抗調節電路的示意圖；

圖4為本公開一實施例提供的另一種半導體設備中腔室的等效電路圖；

圖5為本公開一實施例提供的另一種半導體設備中阻抗調節電路的示意圖；

圖6為本公開一實施例提供的一種可變電容的示意圖；

圖7為本公開一實施例提供的一種可變電阻的示意圖；以及

圖8為本公開一實施例提供的一種可變電感的示意圖。

具體實施方式