[發明專利]半導體設備及其阻抗調節方法

在審

• 申請號: 201710538291.3
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN107227446A
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 徐寶崗;董博宇;文莉輝;耿玉潔;郭冰亮;王軍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種半導體設備，包括：

多個腔室，

其中，各所述腔室包括被配置為承載基片的基座，至少一個所述腔室設置有阻抗調節電路，所述阻抗調節電路被配置為調節對應腔室的所述基座與接地端之間的阻抗，以使所述多個腔室的所述阻抗保持一致。

2.根據權利要求1所述的半導體設備，其中，所述阻抗調節電路包括：第一調節電路和第二調節電路兩者中的至少之一，

所述第一調節電路包括可變電容線路，用于將多個所述腔室中偏高的所述阻抗調低；

所述第二調節電路包括可變電阻線路和可變電感線路兩者中的至少之一，用于將多個所述腔室中偏低的所述阻抗調高。

3.根據權利要求2所述的半導體設備，其中，所述可變電容線路包括可變電容，所述可變電阻線路包括可變電阻，所述可變電感線路包括可變電感。

4.根據權利要求3所述的半導體設備，其中，所述可變電容線路包括第一開關，所述可變電阻線路還包括第二開關，所述可變電感線路還包括第三開關。

5.根據權利要求3所述的半導體設備，其中，所述第二調節電路包括所述可變電阻線路和所述可變電感線路，且二者并聯設置。

6.根據權利要求3所述的半導體設備，其中，所述第二調節電路包括所述可變電阻線路和所述可變電感線路，且二者串聯設置。

7.根據權利要求2所述的半導體設備，其中，所述阻抗調節電路包括所述第一調節電路和所述第二調節電路，且二者并聯設置。

8.根據權利要求2所述的半導體設備，其中，所述第一調節電路和所述第二調節電路兩者中的至少之一的一端連接至第一節點，另一端連接至第二節點，所述第一節點與對應腔室的所述基座相連，所述第二節點接地。

9.根據權利要求8所述的半導體設備，其中，所述第二節點直接接地。

10.根據權利要求3所述的半導體設備，其中，所述可變電容的電容值在50pF-1μF的范圍內。

11.根據權利要求3所述的半導體設備，其中，所述可變電阻的電阻值在100Ω-100KΩ的范圍內。

12.根據權利要求3所述的半導體設備，其中，所述可變電感的電感值在100μH-2000μH的范圍內。

13.根據權利要求1-12中任一項所述的半導體設備，其中，所述腔室還包括：

腔體，所述基座位于所述腔體內部，所述阻抗調節電路位于所述腔體外部。

14.一種根據權利要求1所述的半導體設備的阻抗調節方法，包括：

調節所述阻抗調節電路的阻抗以調節對應腔室的所述基座與接地端之間的阻抗，以使所述多個腔室的所述阻抗保持一致。