[發明專利]一種芯片封裝方法

有效

• 申請號: 201710536780.5
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107195555B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 齊永蓮;曲連杰;貴炳強;陳敏琪;劉韜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31
• 代理公司: 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 申健<國際申請>=<國際公布>=<進入國

本發明的實施例提供一種芯片封裝方法，涉及半導體技術領域，可減少對芯片的損傷，且使刻蝕更加容易進行，刻蝕開封過程容易控制。一種芯片封裝方法，包括：在設置有芯片的基底上，在所述芯片一側進行塑封，形成封裝層；其中，所述芯片遠離所述基底的表面與覆蓋所述芯片的封裝層之間具有空隙；對所述封裝層進行開封，露出所述芯片。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種芯片封裝方法。

背景技術

隨著集成電路技術的不斷發展，電子產品越來越向小型化、智能化以及高可靠性方向發展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機性能，在集成電路晶片逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，對集成電路封裝提出了越來越高的要求。

一種芯片的封裝方法包括：在襯底上放置好芯片30后，直接對芯片30進行塑封形成封裝層40(如圖1所示)；之后，對封裝層40進行開封，露出芯片30。然而，在實現上述的過程中，對封裝層40進行開封時，容易損傷芯片30，而且，當采用化學腐蝕方法進行開封時，刻蝕難以控制，無法精確控制刻蝕時間和精度，開封難度較大。

發明內容

本發明的實施例提供一種芯片封裝方法，可減少對芯片的損傷，且使刻蝕更加容易進行，刻蝕開封過程容易控制。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

提供一種芯片封裝方法，包括：在設置有芯片的基底上，在所述芯片一側進行塑封，形成封裝層；其中，所述芯片遠離所述基底的表面與覆蓋所述芯片的封裝層之間具有空隙；對所述封裝層進行開封，露出所述芯片。

優選的，在設置有芯片的基底上，在所述芯片一側進行塑封，形成封裝層，所述芯片遠離所述基底的表面與覆蓋所述芯片的封裝層之間具有空隙，包括：在設置有芯片的基底上，在芯片上方形成熱收縮層；在所述芯片一側進行塑封，形成封裝層，所述封裝層覆蓋所述熱收縮層；加熱所述熱收縮層，使所述芯片遠離所述基底的表面與覆蓋所述芯片的封裝層之間具有空隙。

基于此，對所述封裝層進行開封，露出所述芯片之后，所述封裝方法還包括：去除所述熱收縮層。

進一步可選的，所述熱收縮層為雙面膠帶。

可選的，所述熱收縮層的材料包括熱收縮樹脂。

可選的，對所述封裝層進行開封，露出所述芯片，包括：對所述封裝層進行干法刻蝕和/或濕法刻蝕工藝，露出所述芯片。

進一步優選的，對所述封裝層進行開封，露出所述芯片，包括：

對所述封裝層進行干法刻蝕，以減薄所述封裝層；對減薄后的所述封裝層進行濕法刻蝕，直至露出所述芯片。

優選的，所述芯片封裝方法，還包括：在所述芯片和所述封裝層上方形成重布線層，并形成焊球；將所述芯片從所述基底剝離。

優選的，所述基底包括貼合在一起的第一基底和第二基底；所述芯片設置在所述第二基底一側；其中，所述第一基底承受的應力大于所述第二基底。

進一步的，所述第二基底包括多個凹槽，所述芯片放置在所述凹槽內。

優選的，所述基底為面板級基底。

本發明的實施例提供一種芯片封裝方法，通過使芯片遠離基底的表面與覆蓋芯片的封裝層之間存在空隙，相當于在封裝層與芯片之間形成一個緩沖界面，因而，不管采用任何開封方法，都可減少對芯片的損傷。此外，當采用化學腐蝕方法時，由于空隙的存在，可在對封裝層進行開封以露出芯片時，使刻蝕更加容易進行，且刻蝕開封過程容易控制，使得開封后封裝層較為均勻。

附圖說明