[發(fā)明專利]一種芯片封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710536780.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107195555B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 齊永蓮;曲連杰;貴炳強(qiáng);陳敏琪;劉韜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31 |
| 代理公司: | 11274 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 申健<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入國(guó) |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 封裝 方法 | ||
1.一種芯片封裝方法,其特征在于,包括:
在設(shè)置有芯片的基底上,在所述芯片一側(cè)進(jìn)行塑封,形成封裝層;其中,所述芯片遠(yuǎn)離所述基底的表面與覆蓋所述芯片的封裝層之間具有空隙,包括:
在設(shè)置有芯片的基底上,在芯片上方形成熱收縮層;
在所述芯片一側(cè)進(jìn)行塑封,形成封裝層,所述封裝層覆蓋所述熱收縮層;
加熱所述熱收縮層,使所述芯片遠(yuǎn)離所述基底的表面與覆蓋所述芯片的封裝層之間具有空隙;
對(duì)所述封裝層進(jìn)行開(kāi)封,露出所述芯片之后,所述封裝方法還包括:去除所述熱收縮層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述熱收縮層為雙面膠帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述熱收縮層的材料包括熱收縮樹(shù)脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,對(duì)所述封裝層進(jìn)行開(kāi)封,露出所述芯片,包括:
對(duì)所述封裝層進(jìn)行干法刻蝕和/或濕法刻蝕工藝,露出所述芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝方法,其特征在于,對(duì)所述封裝層進(jìn)行開(kāi)封,露出所述芯片,包括:
對(duì)所述封裝層進(jìn)行干法刻蝕,以減薄所述封裝層;
對(duì)減薄后的所述封裝層進(jìn)行濕法刻蝕,直至露出所述芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,還包括:
在所述芯片和所述封裝層上方形成重布線層,并形成焊球;
將所述芯片從所述基底剝離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述基底包括貼合在一起的第一基底和第二基底;所述芯片設(shè)置在所述第二基底一側(cè);
其中,所述第一基底承受的應(yīng)力大于所述第二基底。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述第二基底包括多個(gè)凹槽,所述芯片放置在所述凹槽內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述基底為面板級(jí)基底。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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