[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710536646.5
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN107644851A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林岷臻;周哲雅;陳南誠
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

重分布層結(jié)構(gòu)，具有第一表面及相對于該第一表面的第二表面，其中該重分布層結(jié)構(gòu)包括：金屬間介電層和設(shè)置于該金屬間介電層的第一層級處的第一導(dǎo)電層；

模塑料，覆蓋該重分布層結(jié)構(gòu)的該第一表面；

第一半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在該重分布層結(jié)構(gòu)的該第二表面上，并且電性耦接至該重分布層結(jié)構(gòu)；以及

多個凸塊結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該重分布層結(jié)構(gòu)的該第二表面上，并且電性耦接至該重分布層結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：底部填充層，插入在該重分布層結(jié)構(gòu)的該第二表面和該第一半導(dǎo)體晶粒之間。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：第二半導(dǎo)體晶粒及電子元件，設(shè)置在該模塑料中并且并排布置，以及電性耦接至該重分布層結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子元件包括：電容、電感、電阻或者他們的組合。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二半導(dǎo)體晶粒包括：射頻前端元件，集成無源器件，或者他們的組合。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一導(dǎo)電層具有天線圖案，并且俯視時該天線圖案與該第一半導(dǎo)體晶粒、該第二半導(dǎo)體晶粒及該電子元件橫向隔開。

7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一導(dǎo)電層具有接地屏蔽圖案。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該重分布層結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：設(shè)置于該金屬間介電層的第二層級處的第二導(dǎo)電層，其中該第二層級位于該第一層級的下方。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一導(dǎo)電層具有天線圖案，該第二導(dǎo)電層具有接地屏蔽圖案；該重分布層結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：第三導(dǎo)電層，設(shè)置在該金屬間介電層的第三層級處，其中該第三層級位于該第二層級的下方。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接地屏蔽圖案設(shè)置在該天線圖案的下方，并且俯視時該天線圖案，該接地屏蔽圖案完合覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒的表面，并且該天線圖案與該第一半導(dǎo)體晶粒橫向隔開。