[發明專利]一種芯片封裝方法及芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201710536546.2
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107195607B
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發明（設計）人: 曲連杰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60;H01L21/78
• 代理公司: 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 申健

本發明的實施例提供一種芯片封裝方法及芯片封裝結構，涉及半導體技術領域，可提高封裝效率以及產出效率。一種芯片封裝方法，包括：在第一面板級襯底上形成剝離層，并在所述剝離層上各預設區域分別形成重布線層，位于不同區域的所述重布線層之間相互絕緣；在形成所述重布線層的過程中，還形成第一介質層；將芯片以及與所述芯片連接的支柱，通過所述支柱上的焊料帽與形成在所述預設區域的所述重布線層連接；對所述芯片進行封裝，形成封裝層；去除所述第一面板級襯底和所述剝離層，并在所述重布線層一側形成焊球。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種芯片封裝方法及芯片封裝結構。

背景技術

隨著集成電路技術的不斷發展，電子產品越來越向小型化、智能化以及高可靠性方向發展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機性能，在集成電路晶片逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，對集成電路封裝提出了越來越高的要求。

傳統的半導體行業的芯片封裝主要包括如下過程：將晶片上的芯片進行切割，分割成各獨立的芯片，將合格的芯片重新按規則排布在襯底上，之后進行封裝、形成重布線層(Re-Distribution Layers，簡稱RDLs)和焊球的工藝。

然而由于半導體行業采用的襯底尺寸較小，一般為6寸、8寸、12寸，使得封裝后的產出規模受到限制。

發明內容

本發明的實施例提供一種芯片封裝方法及芯片封裝結構，可提高封裝效率以及產出效率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種芯片封裝方法，包括：在第一面板級襯底上形成剝離層，并在所述剝離層上各預設區域分別形成重布線層，位于不同區域的所述重布線層之間相互絕緣；在形成所述重布線層的過程中，還形成第一介質層；將芯片以及與所述芯片連接的支柱，通過所述支柱上的焊料帽與形成在所述預設區域的所述重布線層連接；對所述芯片進行封裝，形成封裝層；去除所述第一面板級襯底和所述剝離層，并在所述重布線層一側形成焊球。

優選的，將芯片以及與所述芯片連接的支柱，通過所述支柱上的焊料帽與形成在所述預設區域的所述重布線層連接之前，所述芯片封裝方法還包括：將多個晶片固定于第二面板級襯底上，所述晶片包括多個芯片；在每個所述芯片遠離所述第二面板級襯底一側形成支柱以及焊料帽；形成第二介質層，所述第二介質層填充于所述支柱周圍露出所述焊料帽；通過切割形成各獨立的所述芯片以及與所述芯片連接的所述支柱。

優選的，所述第一介質層在任意相鄰所述預設區域之間斷開；形成所述封裝層之后，去除所述第一面板級襯底之前，所述芯片封裝方法還包括：使相鄰所述芯片之間的所述封裝層在所述第一介質層的斷開區域內斷開；其中，所述封裝層包裹所述第一介質層。

優選的，針對任意所述芯片，與其連接的所述重布線層超出所述芯片的邊緣。

優選的，所述剝離層的材料為化學剝離材料或激光剝離材料。

優選的，形成所述支柱包括：依次通過曝光、顯影、電鑄工藝形成所述支柱。

優選的，所述第一介質層和所述第二介質層的材料相同。

優選的，述晶片的形狀為規則多邊形；多個所述晶片無縫排布于所述第二面板級襯底上。

基于上述，優選的，所述支柱為銅柱。所述第一面板級襯底為鋼化玻璃襯底。

另一方面，提供一種芯片封裝結構，可通過上述的任一種芯片封裝方法制備得到。