[發(fā)明專利]一種芯片封裝方法及芯片封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710536546.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107195607B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曲連杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/488 | 分類號(hào): | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司: | 11274 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 封裝 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種芯片封裝方法,其特征在于,包括:
在第一面板級(jí)襯底上形成剝離層,并在所述剝離層上各預(yù)設(shè)區(qū)域通過(guò)薄膜沉積、曝光顯影和刻蝕分別直接形成重布線層,位于不同區(qū)域的所述重布線層之間相互絕緣;在形成所述重布線層的過(guò)程中,還形成第一介質(zhì)層;
將芯片以及與所述芯片連接的支柱,通過(guò)所述支柱上的焊料帽與形成在所述預(yù)設(shè)區(qū)域的所述重布線層連接;
對(duì)所述芯片進(jìn)行封裝,形成封裝層;
去除所述第一面板級(jí)襯底和所述剝離層,并在所述重布線層一側(cè)形成焊球;
所述第一介質(zhì)層在任意相鄰所述預(yù)設(shè)區(qū)域之間斷開(kāi);
形成所述封裝層之后,去除所述第一面板級(jí)襯底之前,所述芯片封裝方法還包括:
使相鄰所述芯片之間的所述封裝層在所述第一介質(zhì)層的斷開(kāi)區(qū)域內(nèi)斷開(kāi);其中,所述封裝層包裹所述第一介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,將芯片以及與所述芯片連接的支柱,通過(guò)所述支柱上的焊料帽與形成在所述預(yù)設(shè)區(qū)域的所述重布線層連接之前,所述芯片封裝方法還包括:
將多個(gè)晶片固定于第二面板級(jí)襯底上,所述晶片包括多個(gè)芯片;
在每個(gè)所述芯片遠(yuǎn)離所述第二面板級(jí)襯底一側(cè)形成支柱以及焊料帽;
形成第二介質(zhì)層,所述第二介質(zhì)層填充于所述支柱周?chē)冻鏊龊噶厦保?/p>
通過(guò)切割形成各獨(dú)立的所述芯片以及與所述芯片連接的所述支柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,針對(duì)任意所述芯片,與其連接的所述重布線層超出所述芯片的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述剝離層的材料為化學(xué)剝離材料或激光剝離材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝方法,其特征在于,形成所述支柱包括:
依次通過(guò)曝光、顯影、電鑄工藝形成所述支柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的材料相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述晶片的形狀為規(guī)則多邊形;
多個(gè)所述晶片無(wú)縫排布于所述第二面板級(jí)襯底上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述支柱為銅柱。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述第一面板級(jí)襯底為鋼化玻璃襯底。
10.一種芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,通過(guò)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的芯片封裝方法制備得到。
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