[發明專利]薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定方法及設備

有效

• 申請號: 201710536335.9
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107330200B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 孫雪菲;李正亮;張斌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

本發明公開了一種薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定方法及設備，屬于顯示面板制造領域。所述方法包括：建立薄膜晶體管的器件模型；在工藝參數為目標參數值時，確定所述薄膜晶體管的器件特性參數的參數閾值；模擬對所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內部的器件特性參數的參數值；當所述參數值達到所述參數閾值時，將當前加載的靜電釋放電壓確定為所述薄膜晶體管在所述工藝參數為目標參數值時的耐受靜電電壓。本發明解決了傳統的性能測試過程復雜，測試效率低的問題。本發明實現了提高測試效率的有益效果。本發明用于顯示面板的性能測試。

技術領域

本發明涉及顯示面板制造領域，特別涉及一種薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定方法及設備。

背景技術

薄膜晶體管(英文：Thin Film Transistor；簡稱：TFT)是顯示面板制造過程中比較重要的器件，隨著TFT制備技術的快速發展，對制備工藝和器件性能的要求不斷提升。TFT在投入量產之前，需要進行性能測試，尤其要檢測TFT的耐受靜電電壓，該耐受靜電電壓指的是TFT所能夠承受的最大的靜電釋放(英文：Electro-Static discharge；簡稱：ESD)電壓，超過該ESD電壓TFT會產生不可逆的損傷。

傳統的性能測試過程，是采用設計好的參數制作出TFT樣品，然后對該TFT樣品加載逐漸增大的ESD電壓直至該TFT樣品被擊穿，然后將該TFT樣品擊穿時的ESD電壓作為耐受靜電電壓。

但是，傳統的性能測試過程需要進行TFT樣品的制造和實體測試，整個過程復雜，測試效率較低。

發明內容

為了解決傳統的性能測試過程復雜，測試效率較低的問題，本發明實施例提高了一種薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定方法及設備。所述技術方案如下：

第一方面，提供一種薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定方法，所述方法包括：

建立薄膜晶體管的器件模型；

在工藝參數為目標參數值時，確定所述薄膜晶體管的器件特性參數的參數閾值；

模擬對所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內部的器件特性參數的參數值；

當所述參數值達到所述參數閾值時，將當前加載的靜電釋放電壓確定為所述薄膜晶體管在所述工藝參數為目標參數值時的耐受靜電電壓。

可選的，所述器件特性參數，包括：器件內部電壓，所述器件內部電壓的參數閾值為器件內部擊穿電壓值；

或者，所述器件特性參數，包括：器件內部場強，所述器件內部場強的參數閾值為器件內部擊穿場強值；

或者，所述器件特性參數，包括：器件內部溫度，所述器件內部溫度的參數閾值為所述薄膜晶體管中指定材料的熔點。

可選的，所述工藝參數包括：柵絕緣層介電常數、柵絕緣層厚度、有源層厚度、源漏極圖形的厚度、制造材料，柵極厚度、柵極絕緣層的刻蝕坡度角、有源層的刻蝕坡度角和源漏極圖形的刻蝕坡度角中的至少一種。

可選的，所述模擬對所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內部的器件特性參數的參數值，包括：

通過半導體仿真工具軟件模擬對所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內部的器件特性參數的參數值。

可選的，在所述將當前加載的靜電釋放電壓確定為所述薄膜晶體管在所述工藝參數為目標參數值時的耐受靜電電壓后，所述方法還包括：

記錄所述工藝參數的目標參數值與所述耐受靜電電壓的對應關系。