[發(fā)明專利]薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定方法及設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710536335.9
• 申請(qǐng)日: 2017-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN107330200B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫雪菲;李正亮;張斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/20
• 分類號(hào): G06F30/20
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定方法，其特征在于，所述方法包括：

建立薄膜晶體管的器件模型；

在工藝參數(shù)為目標(biāo)參數(shù)值時(shí)，采用軟件模擬的方式確定所述薄膜晶體管的器件特性參數(shù)的參數(shù)閾值，或者在預(yù)設(shè)的參數(shù)數(shù)據(jù)庫中查詢以確定所述薄膜晶體管的器件特性參數(shù)的參數(shù)閾值，所述工藝參數(shù)的目標(biāo)參數(shù)值為所述工藝參數(shù)的多個(gè)不同的參數(shù)值中的任一參數(shù)值；

模擬對(duì)所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測(cè)所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)的參數(shù)值；

當(dāng)所述參數(shù)值達(dá)到所述參數(shù)閾值時(shí)，將當(dāng)前加載的靜電釋放電壓確定為所述薄膜晶體管在所述工藝參數(shù)為目標(biāo)參數(shù)值時(shí)的耐受靜電電壓；

其中，所述工藝參數(shù)包括：柵絕緣層介電常數(shù)、柵絕緣層厚度、有源層厚度、源漏極圖形的厚度、制造材料，柵極厚度、柵極絕緣層的刻蝕坡度角、有源層的刻蝕坡度角和源漏極圖形的刻蝕坡度角中的至少一種；

所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部電壓；或者，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)；或者，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若所述器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部電壓，則所述器件內(nèi)部電壓的參數(shù)閾值為器件內(nèi)部擊穿電壓值；

若所述器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)，則所述器件內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)的參數(shù)閾值為器件內(nèi)部擊穿場(chǎng)強(qiáng)值；

若所述器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部溫度，則所述器件內(nèi)部溫度的參數(shù)閾值為所述薄膜晶體管中指定材料的熔點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述模擬對(duì)所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測(cè)所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)的參數(shù)值，包括：

通過半導(dǎo)體仿真工具軟件模擬對(duì)所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測(cè)所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)的參數(shù)值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述將當(dāng)前加載的靜電釋放電壓確定為所述薄膜晶體管在所述工藝參數(shù)為目標(biāo)參數(shù)值時(shí)的耐受靜電電壓后，所述方法還包括：

記錄所述工藝參數(shù)的目標(biāo)參數(shù)值與所述耐受靜電電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

5.一種薄膜晶體管的耐受靜電電壓的確定設(shè)備，其特征在于，包括：

建立模塊，用于建立薄膜晶體管的器件模型；

第一確定模塊，用于在工藝參數(shù)為目標(biāo)參數(shù)值時(shí)，采用軟件模擬的方式確定所述薄膜晶體管的器件特性參數(shù)的參數(shù)閾值，或者在預(yù)設(shè)的參數(shù)數(shù)據(jù)庫中查詢以確定所述薄膜晶體管的器件特性參數(shù)的參數(shù)閾值，所述工藝參數(shù)的目標(biāo)參數(shù)值為所述工藝參數(shù)的多個(gè)不同的參數(shù)值中的任一參數(shù)值；

模擬模塊，用于模擬對(duì)所述薄膜晶體管的加載不斷增大的靜電釋放電壓，并檢測(cè)所述加載靜電釋放電壓的過程中，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)的參數(shù)值；

第二確定模塊，用于當(dāng)所述參數(shù)值達(dá)到所述參數(shù)閾值時(shí)，將當(dāng)前加載的靜電釋放電壓確定為所述薄膜晶體管在所述工藝參數(shù)為目標(biāo)參數(shù)值時(shí)的耐受靜電電壓；

其中，所述工藝參數(shù)包括：柵絕緣層介電常數(shù)、柵絕緣層厚度、有源層厚度、源漏極圖形的厚度、制造材料，柵極厚度、柵極絕緣層的刻蝕坡度角、有源層的刻蝕坡度角和源漏極圖形的刻蝕坡度角中的至少一種；

所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部電壓；或者，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)；或者，所述薄膜晶體管內(nèi)部的器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，若所述器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部電壓，則所述器件內(nèi)部電壓的參數(shù)閾值為器件內(nèi)部擊穿電壓值；

若所述器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)，則所述器件內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)的參數(shù)閾值為器件內(nèi)部擊穿場(chǎng)強(qiáng)值；

若所述器件特性參數(shù)包括器件內(nèi)部溫度，則所述器件內(nèi)部溫度的參數(shù)閾值為所述薄膜晶體管中指定材料的熔點(diǎn)。