[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710534472.9
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107393873B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李森龍;呂晶
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/786
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，利用同一道光罩制程對第二金屬層和半導體薄膜層進行蝕刻形成源漏極金屬部、數(shù)據(jù)線和半導體層，而且利用同一道光罩制程對第二透明導電層和源漏極金屬部進行蝕刻形成像素電極、源極和漏極，其中源極連接至數(shù)據(jù)線，像素電極直接與漏極接觸，能確保像素電極與漏極之間良好連接，因此漏極無需設(shè)計成較大的面積，這樣可以增加薄膜晶體管陣列基板中像素區(qū)域內(nèi)的透光區(qū)域面積，有效地提高了液晶顯示裝置的開口率進而提高了穿透率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，且特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法。

背景技術(shù)

目前，高清顯示裝置(HD，High Definition)和全高清顯示裝置(FHD，F(xiàn)ull HighDefinition)越來越受到人們的歡迎，高分辨率高穿透率的液晶顯示裝置(LCD，LiquidCrystal Display)更是一個趨勢。液晶顯示裝置的顯示屏幕越來越大，而在大尺寸的顯示屏幕中，每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI，Pixels Per Inch)數(shù)值越高，即代表顯示屏幕能夠以越高的密度顯示圖像，圖像的細節(jié)就會越豐富。但在相同尺寸的顯示區(qū)域內(nèi)，像素數(shù)目越高，所形成的像素區(qū)域的面積也會越小，每個像素區(qū)域內(nèi)的透光區(qū)域的面積也會變小，因此，現(xiàn)有的高PPI的液晶顯示裝置的開口率和穿透率依然較低。為了提高液晶顯示裝置的開口率和穿透率，一般的方法是使用新材料或者使用新技術(shù)如低溫多晶硅技術(shù)(LTPS，LowTemperature Poly-silicon)、有機發(fā)光二極管技術(shù)(OLED，Organic Light EmittingDiode)等，而新材料和新技術(shù)的制程條件苛刻且良率較低。

圖1是現(xiàn)有一種薄膜晶體管陣列基板的單個像素區(qū)域的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1所示的薄膜晶體管陣列基板沿II-II線的截面結(jié)構(gòu)示意圖。薄膜晶體管陣列基板包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，且多條掃描線11b和多條數(shù)據(jù)線14c相互交叉限定出多個像素區(qū)域，掃描線11b和數(shù)據(jù)線14c交叉位置處設(shè)置有薄膜晶體管，圖1中所示的是薄膜晶體管陣列基板中的一個像素區(qū)域內(nèi)的示意圖。請參圖1和圖2，現(xiàn)有的一種薄膜晶體管陣列基板包括襯底10、柵極11a、柵極絕緣層12、半導體層13a、源極14a和漏極14b、第一絕緣層15、公共電極16、第二絕緣層17和像素電極18。柵極11a形成在襯底10上。柵極絕緣層12形成在襯底10上并覆蓋柵極11a。半導體層13a形成在柵極絕緣層12上并位于柵極11a上方。源極14a和漏極14b形成在柵極絕緣層12上，源極14a和漏極14b彼此分隔并分別與半導體層13a的兩端接觸，以使中間部分的半導體層13a從源極14a和漏極14b之間露出。第一絕緣層15形成在柵極絕緣層12上，并覆蓋源極14a和漏極14b以及從源極14a和漏極14b之間露出部分的半導體層13a，公共電極16形成在第一絕緣層15上。第二絕緣層17覆蓋公共電極16。在第一絕緣層15和第二絕緣層17上形成接觸孔17a以導通漏極14b和像素電極18a。像素電極18a形成在第二絕緣層17上，并填入接觸孔17a中與漏極14b接觸實現(xiàn)電連接。

現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的制作過程中至少需要使用六道光罩制程。具體地，利用第一道光罩制程，在襯底10上形成柵極11a。在襯底10上形成柵極絕緣層12并覆蓋柵極11a，利用第二道光罩制程，在柵極絕緣層12上形成半導體層13a，且半導體層13a的位置位于柵極11a的正上方。在半導體層13a形成之后，利用第三道光罩制程，在柵極絕緣層12和半導體層13a上形成源極14a和漏極14b。在源極14a和漏極14b之后，形成第一絕緣層15。利用第四道光罩制程，在第一絕緣層15上形成公共電極16。在公共電極16上形成第二絕緣層17，并利用第五道光罩制程，在第一絕緣層15和第二絕緣層17上形成接觸孔17a，以露出部分的漏極14b。利用第六道光罩制程，在第二絕緣層17上形成像素電極18a，像素電極18a填入接觸孔17a中與漏極14b接觸實現(xiàn)電連接。