[發明專利]薄膜晶體管陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201710534472.9
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107393873B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 李森龍;呂晶
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/786
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底(10)上沉積第一金屬層，利用第一道光罩制程對所述第一金屬層進行蝕刻形成柵極(11a)和掃描線(11b)；

連續沉積柵極絕緣層(12)、半導體薄膜層(13)和第二金屬層(14)，其中所述柵極絕緣層(12)形成在所述襯底(10)上并覆蓋所述柵極(11a)和所述掃描線(11b)，所述半導體薄膜層(13)形成在所述柵極絕緣層(12)上，所述第二金屬層(14)形成在所述半導體薄膜層(13)上；

利用第二道光罩制程對所述第二金屬層(14)和所述半導體薄膜層(13)進行蝕刻，其中所述第二金屬層(14)在被蝕刻后形成源漏極金屬部(14d)和與源漏極金屬部(14d)連接的數據線(14c)，所述半導體薄膜層(13)在被蝕刻后形成半導體層(13a)；

沉積第一絕緣層(15)，所述第一絕緣層(15)覆蓋所述源漏極金屬部(14d)和所述數據線(14c)；

在所述第一絕緣層(15)上沉積第一透明導電層(16)；

利用第三道光罩制程對所述第一透明導電層(16)進行蝕刻形成公共電極(16b)和通孔(16a)，所述通孔(16a)對應所述源漏極金屬部(14d)設置，露出覆蓋在所述源漏極金屬部(14d)上方的第一絕緣層(15)；

沉積第二絕緣層(17)，所述第二絕緣層(17)覆蓋所述公共電極(16b)，所述第二絕緣層(17)還填入所述通孔(16a)中并覆蓋所述第一絕緣層(15)；

利用第四道光罩制程對所述第二絕緣層(17)和所述第一絕緣層(15)進行蝕刻，在對應所述源漏極金屬部(14d)的位置形成貫穿所述第二絕緣層(17)和所述第一絕緣層(15)的接觸孔(17a)，通過所述接觸孔(17a)露出所述源漏極金屬部(14d)；

在第二絕緣層(17)上沉積第二透明導電層(18)，所述第二透明導電層(18)填入所述接觸孔(17a)中并覆蓋所述源漏極金屬部(14d)；

利用第五道光罩制程對所述第二透明導電層(18)和所述源漏極金屬部(14d)進行蝕刻，其中所述第二透明導電層(18)在被蝕刻后形成像素電極(18a)，所述源漏極金屬部(14d)在被蝕刻后形成彼此分隔的源極(14a)和漏極(14b)，所述半導體層(13a)從所述源極(14a)和所述漏極(14b)之間露出,所述像素電極(18a)與所述漏極(14b)接觸，所述源極(14a)連接至所述數據線(14c)。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括沉積第三絕緣層(19)，所述第三絕緣層(19)覆蓋所述像素電極(18a)和露出的所述半導體層(13a)。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括利用第六道光罩制程對所述第三絕緣層(19)進行蝕刻，在對應溝道的位置形成絕緣塊(19a)，所述絕緣塊(19a)位于所述半導體層(13a)上方并將露出的所述半導體層(13a)覆蓋。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層(14)和所述半導體薄膜層(13)是在同一道光罩制程中蝕刻的，除了所述源漏極金屬部(14d)的下方覆蓋有半導體層(13a)之外，所述數據線(14c)的下方也覆蓋有半導體層(13a)的材料。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二透明導電層(18)和所述源漏極金屬部(14d)是在同一道光罩制程中進行蝕刻的，除了所述漏極(14b)上覆蓋所述像素電極(18a)之外，所述源極(14a)上也覆蓋有所述第二透明導電層(18)的材料。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述公共電極(16b)呈面狀覆蓋在所述第一絕緣層(15)上除所述通孔(16a)之外的區域。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述柵極(11a)與所述掃描線(11b)相連或者為所述掃描線(11b)的一部分。