[發明專利]一種偵測系統在審
| 申請號: | 201710534219.3 | 申請日: | 2017-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN107195571A | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 黃景山;張弢;蔣德念 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 偵測 系統 | ||
1.一種偵測系統,其特征在于,應用于偵測晶圓的洗邊情況,包括:
晶圓機臺,包括一傳送臺和一監控設備;
成像儀支架,與所述傳送臺連接固定;
多臺成像儀,固定于所述成像儀支架上并離散設置于所述傳送臺的晶圓放置區邊緣,用于采集所述晶圓機臺上的晶圓的邊緣圖像;
每臺所述成像儀的采集點與所述晶圓放置區邊緣的距離不同;
所述監控設備分別與每臺所述成像儀連接,用于接收每臺所述監控設備采集的所述邊緣圖像,并根據所述邊緣圖像判斷所述晶圓的洗邊情況。
2.根據權利要求1所述的偵測系統,其特征在于,所述成像儀至少有三臺。
3.根據權利要求2所述的偵測系統,其特征在于,每兩個相鄰的成像儀的所述采集點與晶圓放置區中心的連線所成的夾角均相同。
4.根據權利要求2所述的偵測系統,其特征在于,每臺所述成像儀的所述采集點與所述晶圓放置區邊緣的距離呈一等差數列。
5.根據權利要求4所述的偵測系統,其特征在于,所述等差數列的公差為0.3~0.7mm。
6.根據權利要求5所述的偵測系統,其特征在于,所述等差數列的公差為0.5mm。
7.根據權利要求1所述的偵測系統,其特征在于,每臺所述成像儀均通過RS232通訊線與所述監控設備進行通訊。
8.根據權利要求1所述的偵測系統,其特征在于,所述監控設備針對每臺所述成像儀的所述邊緣圖像生成一洗邊結果數據;
所述洗邊結果數據包括一第一狀態和一第二狀態;
所述監控設備于所述洗邊結果數據為所述第一狀態時進行報警,于所述洗邊結果數據為所述第二狀態時不進行報警。
9.根據權利要求8所述的偵測系統,其特征在于,所述監控設備針對每臺所述成像儀的所述邊緣圖像分別生成對應的判斷結果數據;
所述判斷結果數據包括一第三狀態和一第四狀態;
所述監控設備于所有所述判斷結果數據均為所述第三狀態時,生成具有所述第一狀態的所述洗邊結果數據;
所述監控設備于任一所述判斷結果數據為所述第四狀態時,生成具有所述第二狀態的所述洗邊結果數據。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





