[發(fā)明專利]一種偵測系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710534219.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107195571A | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃景山;張弢;蔣德念 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 偵測 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體良率提升技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種偵測系統(tǒng)。
背景技術(shù)
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之集成電路產(chǎn)品。
在晶圓上進(jìn)行銅電鍍時(shí),整片晶圓都被鍍上了一層銅膜。為了防止在隨后的化學(xué)機(jī)械研磨工藝時(shí),晶圓邊緣的銅膜不容易磨掉甚至發(fā)生銅膜脫落,所以一定要對(duì)晶圓邊緣的銅膜進(jìn)行清洗腐蝕掉。不同的產(chǎn)品需要洗掉的銅膜的寬度也不一樣。當(dāng)傳輸清洗液的管子發(fā)生扭折甚至磨損破裂時(shí),硅片邊緣就會(huì)清洗的不充分。有的時(shí)候管子斷了,就會(huì)發(fā)生晶圓完全沒有洗邊的事故。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問題,本發(fā)明提出了一種偵測系統(tǒng),其中,應(yīng)用于偵測晶圓的洗邊情況,包括:
晶圓機(jī)臺(tái),包括一傳送臺(tái)和一監(jiān)控設(shè)備;
成像儀支架,與所述傳送臺(tái)連接固定;
多臺(tái)成像儀,固定于所述成像儀支架上并離散設(shè)置于所述傳送臺(tái)的晶圓放置區(qū)邊緣,用于采集所述晶圓機(jī)臺(tái)上的晶圓的邊緣圖像;
每臺(tái)所述成像儀的采集點(diǎn)與所述晶圓放置區(qū)邊緣的距離不同;
所述監(jiān)控設(shè)備分別與每臺(tái)所述成像儀連接,用于接收每臺(tái)所述監(jiān)控設(shè)備采集的所述邊緣圖像,并根據(jù)所述邊緣圖像判斷所述晶圓的洗邊情況。
上述的偵測系統(tǒng),其中,所述成像儀至少有三臺(tái)。
上述的偵測系統(tǒng),其中,每兩個(gè)相鄰的成像儀的所述采集點(diǎn)與晶圓放置區(qū)中心的連線所成的夾角均相同。
上述的偵測系統(tǒng),其中,每臺(tái)所述成像儀的所述采集點(diǎn)與所述晶圓放置區(qū)邊緣的距離呈一等差數(shù)列。
上述的偵測系統(tǒng),其中,所述等差數(shù)列的公差為0.3~0.7mm。
上述的偵測系統(tǒng),其中,所述等差數(shù)列的公差為0.5mm。
上述的偵測系統(tǒng),其中,每臺(tái)所述成像儀均通過RS232通訊線與所述監(jiān)控設(shè)備進(jìn)行通訊。
上述的偵測系統(tǒng),其中,所述監(jiān)控設(shè)備針對(duì)每臺(tái)所述成像儀的所述邊緣圖像生成一洗邊結(jié)果數(shù)據(jù);
所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)包括一第一狀態(tài)和一第二狀態(tài);
所述監(jiān)控設(shè)備于所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)為所述第一狀態(tài)時(shí)進(jìn)行報(bào)警,于所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)為所述第二狀態(tài)時(shí)不進(jìn)行報(bào)警。
上述的偵測系統(tǒng),其中,所述監(jiān)控設(shè)備針對(duì)每臺(tái)所述成像儀的所述邊緣圖像分別生成對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果數(shù)據(jù);
所述判斷結(jié)果數(shù)據(jù)包括一第三狀態(tài)和一第四狀態(tài);
所述監(jiān)控設(shè)備于所有所述判斷結(jié)果數(shù)據(jù)均為所述第三狀態(tài)時(shí),生成具有所述第一狀態(tài)的所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù);
所述監(jiān)控設(shè)備于任一所述判斷結(jié)果數(shù)據(jù)為所述第四狀態(tài)時(shí),生成具有所述第二狀態(tài)的所述洗邊結(jié)果數(shù)據(jù)。
有益效果:本發(fā)明中的偵測系統(tǒng)能夠?qū)A的洗邊情況進(jìn)行檢測,能夠應(yīng)對(duì)晶圓發(fā)生扭折、破裂、斷開以及晶圓半面以上的部分未清洗的情況。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中偵測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中圖像分析的示意圖;
圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中采集點(diǎn)相對(duì)晶圓放置區(qū)邊緣的分布圖;
圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中采集點(diǎn)相對(duì)晶圓放置區(qū)邊緣的分布圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明。
在一個(gè)較佳的實(shí)施例中,如圖1所示,提出了一種偵測系統(tǒng),其中,可以應(yīng)用于偵測晶圓的洗邊情況,包括:
晶圓機(jī)臺(tái)10,包括一傳送臺(tái)11和一監(jiān)控設(shè)備12;
成像儀支架20,與傳送臺(tái)11連接固定;
多臺(tái)成像儀30,固定于成像儀支架20上并離散設(shè)置于傳送臺(tái)11的晶圓放置區(qū)邊緣(虛線),用于采集晶圓機(jī)臺(tái)上的晶圓的邊緣圖像;
每臺(tái)成像儀30的采集點(diǎn)與晶圓放置區(qū)邊緣的距離不同;
監(jiān)控設(shè)備12分別與每臺(tái)成像儀30連接,用于接收每臺(tái)監(jiān)控設(shè)備12采集的邊緣圖像,并根據(jù)邊緣圖像判斷晶圓的洗邊情況。
上述技術(shù)方案中,監(jiān)控設(shè)備12應(yīng)具有基于圖像進(jìn)行分析、計(jì)算和判斷的能力,具體的分析過程可以以圖2所示為例,由于晶圓清洗后的表面與未清洗的表面在形成的圖像上存在差異,成像儀30能夠在圖像上識(shí)別晶圓洗邊的分界線,當(dāng)該成像儀30的采集點(diǎn)處的晶圓表面經(jīng)過清洗,則圖像上的該采集點(diǎn)處應(yīng)為經(jīng)過清洗后的圖像,根據(jù)該成像儀30的采集點(diǎn)距離晶圓放置區(qū)邊緣(虛線)的距離,可以判斷該點(diǎn)是否滿足此次清洗的要求,例如需要清洗1.8mm時(shí),采集點(diǎn)距離晶圓放置區(qū)邊緣1.5mm的成像儀30在圖像上的該點(diǎn)應(yīng)受到清洗才能合格。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





