[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法、顯示基板

有效

• 申請號: 201710534060.5
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107134497B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 薛大鵬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

本發明公開了一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示基板，屬于顯示技術領域。薄膜晶體管包括：依次層疊設置在襯底基板上的柵極和柵絕緣層；所述柵絕緣層遠離所述襯底基板的一側設置有源漏極，所述源漏極包括源極和漏極；所述源漏極遠離所述襯底基板的一側設置有有源層，所述有源層連接所述源極和所述漏極。本發明避免了在形成源漏極的過程中有源層與刻蝕液的接觸，不會使有源層中的導電溝道在該過程中受損，避免了對TFT的驅動性能的影響。本發明用于顯示圖像。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示基板。

背景技術

薄膜晶體管(英文：Thin Film Transistor；簡稱：TFT)包括依次層疊設置在襯底基板上的柵極、柵絕緣層、有源層、源漏極和絕緣層等層級結構，其中，源漏極包括源極和漏極。

采用相關技術在制造薄膜晶體管時，在形成有源層后，還要在形成有有源層的襯底基板上形成一整層的金屬膜層，然后采用濕法刻蝕工藝對該整層的金屬膜層進行刻蝕，以形成具有一定圖案的源漏極。

刻蝕過程中，與刻蝕液接觸的有源層部分容易被腐蝕，導致有源層中的導電溝道受損，進而影響TFT的驅動性能。

發明內容

為了解決相關技術中在通過刻蝕的方式形成TFT中的源漏極的過程中，與刻蝕液接觸的有源層部分容易被腐蝕，導致有源層中的導電溝道受損，進而影響TFT的驅動性能的問題，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示基板。所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種薄膜晶體管，包括：

依次層疊設置在襯底基板上的柵極和柵絕緣層；

所述柵絕緣層遠離所述襯底基板的一側設置有源漏極，所述源漏極包括源極和漏極；

所述源漏極遠離所述襯底基板的一側設置有有源層，所述有源層連接所述源極和所述漏極。

可選地，所述有源層包括：有源層圖案和歐姆接觸圖案；

所述歐姆接觸圖案包括：源極接觸圖案和漏極接觸圖案，所述源極接觸圖案分別與所述源極和所述有源層圖案接觸，所述漏極接觸圖案分別與所述漏極和所述有源層圖案接觸，所述源極接觸圖案與所述漏極接觸圖案不接觸。

可選地，所述有源層由銦鎵鋅氧化物IGZO制成，所述有源層中的歐姆接觸圖案中摻雜有氫離子。

可選地，所述有源層遠離所述襯底基板的一側還設置有絕緣層，所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述有源層圖案在所述襯底基板上的正投影重合。

第二方面，提供了一種薄膜晶體管的制造方法，所述方法包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；

在所述柵絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成源漏極，所述源漏極包括源極和漏極；

在所述源漏極遠離所述襯底基板的一側形成有源層，所述有源層連接所述源極和所述漏極。

可選地，所述在所述源漏極遠離所述襯底基板的一側形成有源層，包括：

在所述源漏極遠離所述襯底基板的一側形成有源薄膜層；

對所述有源薄膜層的目標區域進行離子摻雜，使得所述有源薄膜層的目標區域形成為歐姆接觸圖案，所述目標區域之外的區域形成為有源層圖案，其中，所述目標區域之外的區域在所述襯底基板上的正投影與所述源漏極在所述襯底基板上的正投影不重疊，所述歐姆接觸圖案中與所述源極和所述有源層圖案接觸的部分為源極接觸圖案，所述歐姆接觸圖案中與所述漏極和所述有源層圖案接觸的部分為漏極接觸圖案，所述源極接觸圖案與所述漏極接觸圖案不接觸。