[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法、顯示基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710534060.5
• 申請(qǐng)日: 2017-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN107134497B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛大鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

依次層疊設(shè)置在襯底基板上的柵極和柵絕緣層；

所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有源漏極，所述源漏極包括源極和漏極；

所述源漏極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有有源層，所述有源層連接所述源極和所述漏極；

所述有源層包括有源層圖案和歐姆接觸圖案；

所述歐姆接觸圖案包括：源極接觸圖案和漏極接觸圖案，所述源極接觸圖案分別與所述源極和所述有源層圖案接觸，所述漏極接觸圖案分別與所述漏極和所述有源層圖案接觸，所述源極接觸圖案與所述漏極接觸圖案不接觸，所述漏極接觸圖案兼作像素電極；

所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)還設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述有源層圖案在所述襯底基板上的正投影重合，所述絕緣層與所述有源層接觸的部分不選用氮化硅材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層由銦鎵鋅氧化物IGZO制成，所述有源層中的歐姆接觸圖案中摻雜有氫離子。

3.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；

在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成源漏極，所述源漏極包括源極和漏極；

在所述源漏極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成有源薄膜層；

對(duì)所述有源薄膜層的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行離子摻雜，使得所述有源薄膜層的目標(biāo)區(qū)域形成為歐姆接觸圖案，所述目標(biāo)區(qū)域之外的區(qū)域形成為有源層圖案，其中，所述目標(biāo)區(qū)域之外的區(qū)域在所述襯底基板上的正投影與所述源漏極在所述襯底基板上的正投影不重疊，所述歐姆接觸圖案中與所述源極和所述有源層圖案接觸的部分為源極接觸圖案，所述歐姆接觸圖案中與所述漏極和所述有源層圖案接觸的部分為漏極接觸圖案，所述漏極接觸圖案兼作像素電極，所述源極接觸圖案與所述漏極接觸圖案不接觸，所述有源薄膜層連接所述源極和所述漏極；

在形成有所述有源薄膜層的襯底基板上形成絕緣層，所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述有源層圖案在所述襯底基板上的正投影重合，所述絕緣層與所述有源薄膜層接觸的部分不選用氮化硅材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述有源薄膜層由銦鎵鋅氧化物IGZO制成，所述對(duì)所述有源薄膜層的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行離子摻雜，包括：

向所述有源薄膜層的目標(biāo)區(qū)域中摻雜氫離子。

5.一種顯示基板，其特征在于，包括：權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：公共電極；

所述薄膜晶體管中的有源層包括：有源層圖案和歐姆接觸圖案，所述歐姆接觸圖案包括：源極接觸圖案和漏極接觸圖案；

所述漏極接觸圖案與所述公共電極共同驅(qū)動(dòng)所述顯示基板中的像素發(fā)光。