[發明專利]一種太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201710532708.5
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107331715B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 王利忠;邸云萍;周天民
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0248
• 分類號: H01L31/0248;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

一種太陽能電池及其制作方法，該太陽能電池制作方法包括：形成第一電極；在所述第一電極上形成包括摻雜的P型光響應型半導體和N型光響應型半導體的納米線；在所述納米線上方形成第二電極。本申請提供的方案，增加了光透過率、提高了太陽能的利用率，提高了載流子的遷移和分散速率。

技術領域

本發明涉及光伏技術，尤指一種太陽能電池及其制作方法。

背景技術

傳統硅晶太陽能電池主要包括前電極、背電極以及中間的P型和N型半導體等。為了減少硅晶對光的發射，在硅晶上增加了表面減反層。然而這種結構設計存在載流子分離速度慢和傳遞距離長的問題，導致光生電子空穴對易復合，直接影響了太陽能電池的轉化效率；同時這種設計需要對硅晶進行P型和N型摻雜，增加了工藝難度，造成了資源的浪費；表面減反層的加入進一步增加了工藝和資源的浪費。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明至少一實施例提供了一種太陽能電池及制作方法，提高太陽能電池的轉化效率。

為了達到本發明目的，本發明至少一實施例提供了一種太陽能電池制作方法，包括：

形成第一電極；

在所述第一電極上形成包括摻雜的P型光響應型半導體和N型光響應型半導體的納米線；

在所述納米線上方形成第二電極。

在本發明一可選實施例中，所述在所述第一電極上形成由P型光響應型半導體和N型光響應型半導體摻雜的納米線包括：

在所述第一電極上生長所述P型光響應型半導體的納米線；

在所述納米線周圍摻雜所述N型光響應型半導體；

或者，在所述第一電極上生長所述N型光響應型半導體的納米線；

在所述納米線周圍摻雜所述P型光響應型半導體。

在本發明一可選實施例中，所述在所述第一電極上生長納米線通過如下方式之一：

分子束外延、化學氣相沉積、原子層沉積、水熱法。

在本發明一可選實施例中，所述在所述納米線周圍摻雜所述N型光響應型半導體或者在所述納米線周圍摻雜所述P型光響應型半導體包括：

在所述納米線周圍通過高溫滲透或離子摻雜方式摻雜所述N型光響應型半導體，或者在所述納米線周圍通過高溫滲透或離子摻雜方式摻雜所述P型光響應型半導體。

在本發明一可選實施例中，所述N型光響應型半導體為ⅢA主族金屬元素的氮化物，所述P型光響應型半導體為ⅡB副族金屬元素的氧化物。

在本發明一可選實施例中，所述N型光響應型半導體為氮化鎵，所述P型光響應型半導體為氧化鋅。

在本發明一可選實施例中，所述第一電極為背電極，所述第二電極為前電極；或者，所述第一電極為前電極，所述第二電極為背電極。

本發明一實施例提供一種太陽能電池，包括：第一電極、第二電極和位于所述第一電極和第二電極之間的包括摻雜的P型光響應型半導體和N型光響應型半導體的納米線。

在本發明一可選實施例中，所述納米線為：P型光響應性半導體周圍摻雜N型光響應型半導體，或者，N型光響應性半導體周圍摻雜P型光響應型半導體。

在本發明一可選實施例中，所述N型光響應型半導體為氮化鎵，所述P型光響應型半導體為氧化鋅。