[發明專利]一種太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201710532708.5
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107331715B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 王利忠;邸云萍;周天民
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0248
• 分類號: H01L31/0248;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

1.一種太陽能電池制作方法，其特征在于，包括：

形成第一電極；

在所述第一電極上形成包括摻雜的P型光響應型半導體和N型光響應型半導體的納米線，包括：在所述第一電極上生長所述P型光響應型半導體的納米線，在所述納米線周圍通過高溫滲透方式摻雜所述N型光響應型半導體；或者，在所述第一電極上生長所述N型光響應型半導體的納米線，在所述納米線周圍通過高溫滲透方式摻雜所述P型光響應型半導體；其中，高溫滲透是在500℃～700℃高溫下滲透1小時～3小時；所述N型光響應型半導體為氮化鎵，所述P型光響應型半導體為氧化鋅；所述高溫滲透方式包括：將氮化鎵納米線放于氧化鋅粉末氛圍中，或者將氧化鋅納米線放于氮化鎵粉末氛圍中；

在所述納米線上方形成第二電極。

2.如權利要求1所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述在所述第一電極上生長納米線通過如下方式之一：

分子束外延、化學氣相沉積、原子層沉積、水熱法。

3.如權利要求1或2所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述第一電極為背電極，所述第二電極為前電極；或者，所述第一電極為前電極，所述第二電極為背電極。

4.一種采用如權利要求1至3任一所述的太陽能電池制作方法制作的太陽能電池，其特征在于，包括：第一電極、第二電極和位于所述第一電極和第二電極之間的包括摻雜的P型光響應型半導體和N型光響應型半導體的納米線；所述納米線為：P型光響應性半導體周圍通過高溫滲透方式摻雜N型光響應型半導體，或者，N型光響應性半導體周圍通過高溫滲透方式摻雜P型光響應型半導體；其中，高溫滲透是在500℃～700℃高溫下滲透1小時～3小時；所述N型光響應型半導體為氮化鎵，所述P型光響應型半導體為氧化鋅；所述高溫滲透方式包括：將氮化鎵納米線放于氧化鋅粉末氛圍中，或者將氧化鋅納米線放于氮化鎵粉末氛圍中。