[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710532559.2
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN109216358B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張維哲;田中義典
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/762;H01L21/8242
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底；

多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基底中；

至少一埋入式字元線，設(shè)置在所述基底中，其中所述至少一埋入式字元線與所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)相交；以及

至少一第二隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基底中，其中所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)與所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)相交，所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分的材料與所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)的材料不同，所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的所述至少一部分的底面低于所述基底的頂面，所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)的材料包括氧化物，且所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分的材料包括氮化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一閘介電層，設(shè)置在所述至少一埋入式字元線與所述基底之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)包括：

第一隔離層；以及

第二隔離層，位于所述第一隔離層與所述基底之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一隔離層的材料包括氮化物，且所述第二隔離層的材料包括氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，由所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)與所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)定義出多個(gè)主動(dòng)區(qū)，且位于所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的一側(cè)的所述主動(dòng)區(qū)的上視圖案在正斜率的延伸方向上延伸，且位于所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的另一側(cè)的所述主動(dòng)區(qū)的上視圖案在負(fù)斜率的延伸方向上延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，由所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)與所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)定義出多個(gè)主動(dòng)區(qū)，且位于所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的一側(cè)與另一側(cè)的所述多個(gè)主動(dòng)區(qū)的上視圖案具有相同的延伸方向。

7.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

在一基底中形成多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)；

在所述基底中形成至少一埋入式字元線，其中所述至少一埋入式字元線與所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)相交；以及

在形成所述至少一埋入式字元線之后，在所述基底中形成至少一第二隔離結(jié)構(gòu)，其中所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)與所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)相交，所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分的材料與所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)的材料不同，所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)的材料包括氧化物，且所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分的材料包括氮化物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

在所述基底上形成一第一圖案化硬罩幕層；

以所述第一圖案化硬罩幕層為罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成多個(gè)第一開口；以及

在所述多個(gè)第一開口中形成所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)，且其中

所述至少一埋入式字元線的形成方法包括：

在所述基底上形成一第二圖案化硬罩幕層；

以所述第二圖案化硬罩幕層為罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成至少一第二開口；

在所述至少一第二開口的部分表面上形成一閘介電層；以及

在所述至少一第二開口中形成所述至少一埋入式字元線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括對所述多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行回蝕刻處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述至少一第二隔離結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

在所述基底上形成一圖案化光阻層；

以所述圖案化光阻層為罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成至少一第三開口；

移除所述圖案化光阻層；以及

形成填滿所述至少一第三開口的一第一隔離層。