[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710532559.2
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN109216358B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 張維哲;田中義典
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/762;H01L21/8242
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底；

多個第一隔離結構，設置在所述基底中；

至少一埋入式字元線，設置在所述基底中，其中所述至少一埋入式字元線與所述多個第一隔離結構相交；以及

至少一第二隔離結構，設置在所述基底中，其中所述至少一第二隔離結構與所述多個第一隔離結構相交，所述至少一第二隔離結構的至少一部分的材料與所述多個第一隔離結構的材料不同，所述至少一第二隔離結構的所述至少一部分的底面低于所述基底的頂面，所述多個第一隔離結構的材料包括氧化物，且所述至少一第二隔離結構的至少一部分的材料包括氮化物。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括一閘介電層，設置在所述至少一埋入式字元線與所述基底之間。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述至少一第二隔離結構包括：

第一隔離層；以及

第二隔離層，位于所述第一隔離層與所述基底之間。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第一隔離層的材料包括氮化物，且所述第二隔離層的材料包括氧化物。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，由所述多個第一隔離結構與所述至少一第二隔離結構定義出多個主動區，且位于所述至少一第二隔離結構的一側的所述主動區的上視圖案在正斜率的延伸方向上延伸，且位于所述至少一第二隔離結構的另一側的所述主動區的上視圖案在負斜率的延伸方向上延伸。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，由所述多個第一隔離結構與所述至少一第二隔離結構定義出多個主動區，且位于所述至少一第二隔離結構的一側與另一側的所述多個主動區的上視圖案具有相同的延伸方向。

7.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

在一基底中形成多個第一隔離結構；

在所述基底中形成至少一埋入式字元線，其中所述至少一埋入式字元線與所述多個第一隔離結構相交；以及

在形成所述至少一埋入式字元線之后，在所述基底中形成至少一第二隔離結構，其中所述至少一第二隔離結構與所述多個第一隔離結構相交，所述至少一第二隔離結構的至少一部分的材料與所述多個第一隔離結構的材料不同，所述多個第一隔離結構的材料包括氧化物，且所述至少一第二隔離結構的至少一部分的材料包括氮化物。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述多個第一隔離結構的形成方法包括：

在所述基底上形成一第一圖案化硬罩幕層；

以所述第一圖案化硬罩幕層為罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成多個第一開口；以及

在所述多個第一開口中形成所述多個第一隔離結構，且其中

所述至少一埋入式字元線的形成方法包括：

在所述基底上形成一第二圖案化硬罩幕層；

以所述第二圖案化硬罩幕層為罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成至少一第二開口；

在所述至少一第二開口的部分表面上形成一閘介電層；以及

在所述至少一第二開口中形成所述至少一埋入式字元線。

9.根據權利要求8所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，還包括對所述多個第一隔離結構進行回蝕刻處理。

10.根據權利要求7所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述至少一第二隔離結構的形成方法包括：

在所述基底上形成一圖案化光阻層；

以所述圖案化光阻層為罩幕，移除部分所述基底，而在所述基底中形成至少一第三開口；

移除所述圖案化光阻層；以及

形成填滿所述至少一第三開口的一第一隔離層。