[發明專利]晶圓頂針及其形成方法在審
| 申請號： | 201710525497.2 | 申請日： | 2017-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN109216254A | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發明（設計）人： | 三重野文健 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圓頂針 頂針 接觸層 立方碳化硅 支撐桿 晶圓 外延生長工藝 表面粗糙度 生產產品 升降過程 外延生長 支撐裝置 顆粒物 耐腐蝕 支撐頭 耐磨 支撐 種晶 保證 | ||
1.一種晶圓頂針，所述晶圓頂針用于支撐晶圓，其特征在于，所述晶圓頂針包括：
頂針本體，所述頂針本體包括支撐桿和位于所述支撐桿上的支撐頭；
接觸層，所述接觸層位于所述頂針本體表面上，所述接觸層為立方碳化硅層。
2.如權利要求1所述的晶圓頂針，其特征在于，所述接觸層的表面粗糙度在0.5um以下。
3.如權利要求1所述的晶圓頂針，其特征在于，所述頂針本體的材料為單晶硅。
4.如權利要求3所述的晶圓頂針，其特征在于，所述頂針本體的表層形成有硅化物層。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的晶圓頂針，其特征在于，所述支撐頭的投影面積大于所述支撐桿的投影面積，所述支撐頭遠離所述支撐桿的一側為球面。
6.如權利要求1-4中任意一項所述的晶圓頂針，其特征在于，所述支撐桿上具有溝槽。
7.如權利要求1-4中任意一項所述的晶圓頂針，其特征在于，所述頂針本體為一體成型結構。
8.如權利要求1-4中任意一項所述的晶圓頂針，其特征在于，所述晶圓頂針用于化學氣相沉積腔體中或原子層沉積腔體中，所述晶圓頂針的數量為多個。
9.一種晶圓頂針的形成方法，其特征在于，所述晶圓頂針的形成方法包括：
提供一頂針本體；
通過沉積工藝在所述頂針本體上形成立方碳化硅層，所述沉積工藝采用的材料包括三氯氫硅、丙烷和氫氣。
10.如權利要求9所述晶圓頂針的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝的工藝條件為：0.05Torr～1Torr，1000℃～1200℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
