[發明專利]進氣管路及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201710524031.0
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN109210374B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 劉建;張宇;李一成
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: F17D1/02
• 分類號: F17D1/02
• 代理公司: 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 陳亞英

本發明提供一種進氣管路及半導體加工設備，其包括主路管道和與之連接的第一支路管道，該第一支路管道用于傳輸高沸點氣體，在主路管道的內壁上，且位于與第一支路管道的交匯處設置有混氣結構，用以減小主路管道在所述交匯處的橫截面積。本發明提供的進氣管路，通過借助混氣結構減小主路管道在交匯處的橫截面積，可以降低該交匯處的氣體壓力，有利于后續氣體的流出和氣體流量的穩定，從而可以提高高沸點氣體的流量穩定性。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體地，涉及一種進氣管路及半導體加工設備。

背景技術

在半導體制造工業中，隨著集成電路制程的不斷更新，工藝氣體的使用逐漸精細復雜，一些高沸點氣體如SiCl₄，SiBr₄，BCl₃，SiCH₄等，在使用過程中影響因素復雜，常發生管路堵塞現象，對于工藝的精確控制產生極大影響，并直接導致產品質量問題。

例如，SiCl₄在室溫下是一種易揮發的液體(沸點在57.6℃)。在實際應用中，一般通過控制SiCl₄氣體的飽和蒸汽壓力，來控制該氣體的流量。但是，SiCl₄氣體的飽和蒸汽壓力受管路環境影響較大。例如，當SiCl₄氣體的沸點為-63.4℃時，其飽和蒸汽壓力為1mmHg；當SiCl₄氣體的沸點為-12.1℃時，其飽和蒸汽壓力為5mmHg；當SiCl₄氣體的沸點為-34.4℃時，其飽和蒸汽壓力為10mmHg；當SiCl₄氣體的沸點為21℃時，其飽和蒸汽壓力為200mmHg；當SiCl₄氣體的沸點為38.4℃時，其飽和蒸汽壓力為400mmHg；當SiCl₄氣體的沸點為56.8℃時，其飽和蒸汽壓力為760mmHg。由上述數據可知，當SiCl₄氣體的溫度變化15℃左右，飽和蒸汽壓力變化一倍，這可能使氣體流量變化一倍，從而SiCl₄氣體在集成電路的制造工藝中經常發生異常變動，給產品質量帶來極大的影響。

圖1為現有的一種進氣管路的結構示意圖。如圖1所示，用于傳輸SiCl₄氣體的管路與傳輸其他工藝氣體的管路相互并聯，并與主路連接。在使用中發現，SiCl₄氣體在流量較低時，其可以達到需求的流量，但是，當要求SiCl₄氣體的流量較大時，會發生SiCl₄氣體的流量異常，實際流量達不到要求的情況。因此，目前高沸點氣體作為工藝氣體存在流量不穩定現象。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種進氣管路及半導體加工設備，其可以提高高沸點氣體的流量穩定性，從而可以保證產品質量。

為實現本發明的目的而提供一種進氣管路，包括主路管道和與之連接的第一支路管道，所述第一支路管道用于傳輸高沸點氣體，在所述主路管道的內壁上，且位于與所述第一支路管道的交匯處設置有混氣結構，用以減小所述主路管道在所述交匯處的橫截面積。

優選的，所述混氣結構包括第一凸部和/或兩個第二凸部，其中，

所述第一凸部設置在所述主路管道的內壁上，且與所述第一支路管道的出氣端相對；

兩個所述第二凸部設置在所述主路管道的內壁上，且位于所述第一支路管道的出氣端所在一側，并且兩個所述第二凸部分別位于所述第一支路管道的出氣端邊緣的兩側。

優選的，所述第一凸部的外表面為圓弧面，并且所述第一凸部的厚度自所述第一支路管道的中心向兩側的邊緣逐漸變小；所述第二凸部的為表面為圓弧面，并且所述第二凸部的厚度自所述第一支路管道的邊緣向該邊緣的外側逐漸減小。

優選的，所述主路管道在所述交匯處的橫截面積的減小量占所述主路管道的原始橫截面積的25％～95％。