[發明專利]用于微機電系統裝置和互補金屬氧化物半導體裝置的集成在審
| 申請號： | 201710521597.8 | 申請日： | 2017-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN107662901A | 公開（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發明（設計）人： | 鄭鈞文;朱家驊 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 微機 系統 裝置 互補 金屬 氧化物 半導體 集成 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成電路IC，其包括：
半導體襯底；
后段工藝BEOL互連結構，其位于所述半導體襯底上方；
壓電層，其位于所述BEOL互連結構上方且包括微機電系統MEMS裝置；
第一電極層和第二電極層，其位于所述BEOL互連結構上方，其中所述壓電層布置于所述第一電極層與所述第二電極層之間，且其中所述第二電極層包括延伸穿過所述壓電層而到所述第一電極層的通孔；以及
空腔，其位于所述半導體襯底與所述壓電層之間，其中所述MEMS裝置經配置以在所述空腔內移動。
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