[發明專利]抗靜電LED芯片制備方法及其應用有效
| 申請號： | 201710521464.0 | 申請日： | 2017-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN109216518B | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 楊曉隆;王懷兵;王輝 | 申請（專利權）人： | 蘇州新納晶光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 陳忠輝 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抗靜電 led 芯片 制備 方法 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.抗靜電LED芯片制備方法，包括如下步驟：
S1、在氫氣氣氛下，高溫處理襯底，并在襯底上生長非摻雜GaN 層；
S2，在非摻雜GaN 層表面依次生長第一P型層、量子阱層、N型層及量子阱層、第二P型層；
其特征在于：所述第一P型層和所述第二P型層上均設置有一用于收集電荷的電容區；
所述電容區為電極；
所述電極包括設置于第二P型層上的第二電極，及設置于所述第一P型層上的第一電極。
2.如權利要求1所述的抗靜電LED芯片制備方法，其特征在于：所述第一電極制備時，先通過在第二P型層上進行蝕刻露出第一P型層，在所述第一P型成上制備電極形成第一電極。
3.一種如權利要求1所述的抗靜電LED芯片制備方法制得的抗靜電LED芯片。
4.如權利要求3所述的抗靜電LED芯片，其特征在于：所述芯片包括一襯底，所述襯底上由下至上依次設置有第一P型層、量子阱層、N型層、量子阱層、第二P型層，所述第一P型層及第二P型層上外延生長有電容區。
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