[發(fā)明專利]抗靜電LED芯片制備方法及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710521464.0
• 申請(qǐng)日: 2017-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109216518B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊曉隆;王懷兵;王輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州新納晶光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

本發(fā)明提供了一種抗靜電LED芯片，所述芯片包括一襯底，所述襯底上由下至上依次設(shè)置有第一P型層、量子阱層、N型層、量子阱層、第二P型層，所述第一P型層及第二P型層上外延生長(zhǎng)有電容區(qū)。本發(fā)明通過(guò)增加電容區(qū)，當(dāng)電壓超過(guò)器件最大范圍時(shí)，電容區(qū)將自動(dòng)收集靜電電荷，避免LED芯片或外延片受到?jīng)_擊，損壞LED器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抗靜電LED芯片及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著 LED 技術(shù)的快速發(fā)展以及 LED 光效的逐步提高，LED 的應(yīng)用將越來(lái)越廣泛。隨著全球性能源短缺問(wèn)題的日益嚴(yán)重，人們?cè)絹?lái)越關(guān)注 LED 在照明市場(chǎng)的發(fā)展前景，LED 將是取代白熾燈、鎢絲燈和熒光燈的潛力光源。LED 照明市場(chǎng)發(fā)展空間廣闊。LED 照明燈具應(yīng)用已經(jīng)從過(guò)去室外景觀照明 LED 發(fā)展向室內(nèi)照明應(yīng)用。行業(yè)內(nèi)，靜電是造成LED器件失效的主要原因之一，其主要原因是由于靜電釋放會(huì)導(dǎo)致LED器件的漏電死燈現(xiàn)象，因此，為提高LED的可靠性能和壽命，使LED芯片具有抗靜電將發(fā)揮異常重要的作用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于解決上述的技術(shù)問(wèn)題，提供了一種抗靜電LED芯片制備及其應(yīng)用。

本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

抗靜電LED芯片制備方法，包括如下步驟：

S1、在氫氣氣氛下，高溫處理襯底，并在襯底上生長(zhǎng)非摻雜GaN層；

S2，在非摻雜GaN 層表面依次生長(zhǎng)第一P型層、量子阱層、N型層及量子阱層、第二P型層；

所述第一P型層和所述第二P 型層上均設(shè)置有一用于收集電荷的電容區(qū)。

有選地，所述電容區(qū)為電極。

有選地，所述電極包括設(shè)置于第二P型層上的第二電極，及設(shè)置于所述第一P型層上的第一電極。

有選地，所述第一電極制備時(shí)，先通過(guò)在第二P型層上進(jìn)行蝕刻露出第一P型層，在所述第一P型成上制備電極形成第一電極。

一種如權(quán)利要求1所述的抗靜電LED芯片制備方法制得的抗靜電LED芯片。

有選地，所述芯片包括一襯底，所述襯底上由下至上依次設(shè)置有第一P型層、量子阱層、N型層、量子阱層、第二P型層，所述第一P型層及第二P型層上外延生長(zhǎng)有電容區(qū)。

本發(fā)明的原理為當(dāng)通入正向電流時(shí)，N型層和第二P型層及中間的量子阱開(kāi)始工作，電能轉(zhuǎn)換為光能；當(dāng)反向靜電通入時(shí)，第一P型層，量子阱和N型層，開(kāi)始吸收電荷，避免LED損傷。電極通過(guò)P和N的三層疊加，實(shí)現(xiàn)靜電電荷的吸收，緩解靜電沖擊；

本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在：本發(fā)明通過(guò)增加電容區(qū)，當(dāng)電壓超過(guò)器件最大范圍時(shí)，電容區(qū)將自動(dòng)收集靜電電荷，避免LED芯片或外延片受到?jīng)_擊，損壞LED器件。

附圖說(shuō)明

圖1：本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合實(shí)施例具體闡述本發(fā)明的技術(shù)方案，本發(fā)明揭示了一種抗靜電LED芯片及其制備方法。如圖1所示，所述芯片包括一襯底，所述襯底上生長(zhǎng)有非摻雜GaN層，所述非摻雜GaN層由下至上依次設(shè)置有第一P型層、量子阱層、N型層、量子阱層、第二P型層，所述第一P型層及第二P型層上外延生長(zhǎng)有電容區(qū)。

本發(fā)明所述電容區(qū)實(shí)際為電極，所述電極包括設(shè)置于第二P型層上的第二電極，及設(shè)置于所述第一P型層上的第一電極。

所述第一電極制備時(shí)，先通過(guò)在第二P型層上進(jìn)行蝕刻露出第一P型層，在所述第一P型成上制備電極形成第一電極。