[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置、半導(dǎo)體引線框架及其切筋方法

在審

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• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN107275308A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐亞亞;余鎣軍;楊曉東;都俊興;周杰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳賽意法微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44232
• 代理人: 劉抗美,闕龍燕

1.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，包括：

封裝外殼；

半導(dǎo)體器件，包覆在所述封裝外殼內(nèi)；

管腳，用于與所述半導(dǎo)體器件電氣連接，所述管腳裸露在所述封裝外殼外；

所述管腳靠近所述封裝外殼的兩側(cè)分別具有由兩凸起和一凹槽形成的方波狀結(jié)構(gòu)，所述凸起和所述凹槽沿所述管腳的長度方向依次交替設(shè)置，所述管腳與PCB印制電路板進(jìn)行焊接時(shí)，焊錫將匯聚在所述凹槽中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，在所述管腳插入PCB印制電路板后，所述PCB印制電路板卡在所述兩凸起之間，使得其中一個(gè)凸起位于所述PCB印制電路板上表面，另一個(gè)凸起位于所述PCB印制電路板的下表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，所述管腳的寬度尺寸為0.7mm-0.9mm，所述凸起的高度為0.075mm-0.1mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，所述管腳的外表面涂覆有錫層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，所述錫層的覆蓋范圍為從所述管腳的凹槽開始延伸到靠近所述封裝外殼的管腳部分。

6.一種半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，包括：

至少一散熱區(qū)；

至少一載片區(qū)，用于安裝半導(dǎo)體器件，所述載片區(qū)連接所述散熱區(qū)；

至少一管腳框架，所述管腳框架包括邊角框架，位于所述邊角框架內(nèi)的多個(gè)管腳以及連接各管腳的第一連筋、第二連筋，所述第一連筋靠近所述載片區(qū)，所述第二連筋位于所述第一連筋遠(yuǎn)離所述載片區(qū)的一側(cè)；

所述第一連筋被切斷后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第一凸起，所述第二連筋被切斷后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起沿所述管腳的長度方向間隔設(shè)置，且所述第一凸起和所述第二凸起之間形成一凹槽，第一凸起、所述第二凸起和所述凹槽形成方波狀結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的框架，其特征在于，所述第一連筋和所述第二連筋之間的管腳寬度為0.7mm~0.9mm。

8.一種半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，包括：

散熱區(qū)；

載片區(qū)，用于安裝半導(dǎo)體器件，所述載片區(qū)連接所述散熱區(qū)；

管腳，用于電氣連接所述載片區(qū)中的半導(dǎo)體器件，所述管腳靠近所述載片區(qū)的兩側(cè)分別具有由兩凸起和一凹槽形成的方波狀結(jié)構(gòu)，所述凸起和所述凹槽沿所述管腳的長度方向依次交替設(shè)置，所述管腳與PCB印制電路板進(jìn)行焊接時(shí)，焊錫將匯聚在所述凹槽中。

9.一種半導(dǎo)體引線框架切筋方法，其特征在于，所述引線框架包括散熱區(qū)、載片區(qū)和管腳框架，所述管腳框架包括邊角框架，位于所述邊角框架內(nèi)的多個(gè)管腳以及連接各管腳的第一連筋、第二連筋，所述方法包括：

第一次切筋：切斷第一連筋，第一連筋切完后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第一凸起；

電鍍：在管腳框架的外表面電鍍形成一錫層；

第二次切筋：切斷第二連筋，切完第二連筋后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起之間形成一凹槽，所述錫層的覆蓋范圍為從所述管腳的凹槽處開始至靠近所述載片區(qū)的管腳部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體引線框架切筋方法，其特征在于，在第一次切筋之前，所述方法還包括：

對所述半導(dǎo)體引線框架進(jìn)行鍍膜，使整個(gè)引線框架的外表面形成一電鍍層。