[發明專利]一種晶圓切割時間計算方法及裝置有效
| 申請號: | 201710517646.0 | 申請日: | 2017-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN107180790B | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發明(設計)人: | 金國慶;魯學山;張俊龍 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 陳博旸 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 切割 時間 計算方法 裝置 | ||
1.一種晶圓切割時間計算方法,其特征在于,包括:
獲取晶圓的參數信息、芯片的參數信息和晶圓切割速度;
根據所述晶圓的參數信息和芯片的參數信息確定所述晶圓的總切割長度;
根據所述晶圓的總切割長度和所述晶圓切割速度,計算得到晶圓切割時間;
所述晶圓的參數信息還包括晶圓切割外切單邊長度,根據下式確定所述晶圓的總切割長度:
其中,L為所述晶圓的總切割長度,D為晶圓直徑,E為晶圓切割外切單邊長度,n為四分之一晶圓區域內沿芯片長度方向的芯片個數,d1x為從晶圓直徑沿芯片長度方向的一個芯片的四分之一晶圓切割長度,d2x為從晶圓直徑沿芯片長度方向的兩個芯片的四分之一晶圓切割長度,dnx為從晶圓直徑沿芯片長度方向的n個芯片的四分之一晶圓切割長度;m為四分之一晶圓區域內沿芯片寬度方向的芯片個數,d1y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的一個芯片的四分之一晶圓切割長度,d2y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的兩個芯片的四分之一晶圓切割長度,dmy為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的m個芯片的四分之一晶圓切割長度。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據所述晶圓的參數信息和芯片的參數信息確定所述晶圓的總切割長度,包括:
確定四分之一晶圓切割長度;
根據所述四分之一晶圓切割長度,確定所述晶圓的總切割長度。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述晶圓的參數信息包括晶圓直徑,所述芯片的參數信息包括芯片長度、芯片寬度,所述確定四分之一晶圓切割長度,包括:
根據四分之一晶圓區域內沿芯片長度方向的芯片個數、從晶圓直徑沿芯片長度方向的多個芯片的四分之一晶圓切割長度,確定四分之一晶圓區域內沿芯片長度方向的切割長度;
根據四分之一晶圓區域內沿芯片寬度方向的芯片個數、從晶圓直徑沿芯片寬度方向的多個芯片的四分之一晶圓切割長度,確定四分之一晶圓區域內沿芯片寬度方向的切割長度;
根據所述四分之一晶圓區域內沿芯片長度方向的切割長度和所述四分之一晶圓區域內沿芯片寬度方向的切割長度,確定四分之一晶圓切割長度。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,根據下式確定四分之一晶圓切割長度:
其中,n為四分之一晶圓區域內沿芯片長度方向的芯片個數,d1x為從晶圓直徑沿芯片長度方向的一個芯片的四分之一晶圓切割長度,d2x為從晶圓直徑沿芯片長度方向的兩個芯片的四分之一晶圓切割長度,dnx為從晶圓直徑沿芯片長度方向的n個芯片的四分之一晶圓切割長度;m為四分之一晶圓區域內沿芯片寬度方向的芯片個數,d1y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的一個芯片的四分之一晶圓切割長度,d2y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的兩個芯片的四分之一晶圓切割長度,dmy為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的m個芯片的四分之一晶圓切割長度。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,根據下式計算得到晶圓切割時間:
T=L/s
其中,T為晶圓切割時間,s為晶圓切割速度。
6.一種晶圓切割時間計算裝置,其特征在于,包括:
至少一個處理器;以及
與所述至少一個處理器通信連接的存儲器;
其中,所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執行的指令,所述指令被所述至少一個處理器執行,以使所述至少一個處理器執行以下方法:
獲取晶圓的參數信息、芯片的參數信息和晶圓切割速度;
根據所述晶圓的參數信息和芯片的參數信息確定所述晶圓的總切割長度;
根據所述晶圓的總切割長度和所述晶圓切割速度,計算得到晶圓切割時間;
所述晶圓的參數信息還包括晶圓切割外切單邊長度,根據下式確定所述晶圓的總切割長度:
其中,L為所述晶圓的總切割長度,D為晶圓直徑,E為晶圓切割外切單邊長度,n為四分之一晶圓區域內沿芯片長度方向的芯片個數,d1x為從晶圓直徑沿芯片長度方向的一個芯片的四分之一晶圓切割長度,d2x為從晶圓直徑沿芯片長度方向的兩個芯片的四分之一晶圓切割長度,dnx為從晶圓直徑沿芯片長度方向的n個芯片的四分之一晶圓切割長度;m為四分之一晶圓區域內沿芯片寬度方向的芯片個數,d1y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的一個芯片的四分之一晶圓切割長度,d2y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的兩個芯片的四分之一晶圓切割長度,dmy為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的m個芯片的四分之一晶圓切割長度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





