[發明專利]基板的連續處理裝置以及方法

在審

• 申請號: 201710516268.4
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN108206146A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 樸永秀;田銀秀;柳守烈;崔宇鎮;孫侐主;許成壹
• 申請（專利權）人: 系統科技公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/311
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉

1.一種基板的連續處理裝置，其特征在于，包括：

等離子腔室(200)，用于利用等離子去除存在于基板的氧化膜；

加熱腔室(400、500)，將在所述等離子腔室(200)經過等離子處理的基板加熱至預設的溫度；

冷卻腔室(600)，對從所述加熱腔室(400、500)移送的基板進行冷卻，并將冷卻的所述基板移送至裝載及卸載腔室(100)；以及

移送部(800)，用于在所述腔室之間移送所述基板。

2.一種基板的連續處理裝置，其特征在于，包括：

第一等離子腔室(200-1)，用于利用等離子去除存在于基板的氧化膜；

第二等離子腔室(400-1)，用于對在所述第一等離子腔室(200-1)經過一次等離子處理的基板進行二次等離子處理，從而去除存在于基板的氧化膜；

加熱腔室(500-1)，將經過所述一次等離子處理以及二次等離子處理的基板加熱至預設的溫度；

冷卻腔室(600-1)，對從所述加熱腔室(500-1)移送的基板進行冷卻；

移送部(800-1)，用于在所述腔室之間移送所述基板。

3.根據權利要求1或2所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

所述等離子腔室(200、200-1)包括：

等離子上部腔室(200a)，在內部配備有產生等離子的等離子發生部(210)；

基板移送空間(700c)，形成于所述等離子上部腔室(200a)的下方，用于在所述腔室之間移送所述基板，

在進行利用所述等離子的基板處理的期間，所述等離子上部腔室(200a)的內部空間相對于所述基板移送空間(700c)被隔離。

4.根據權利要求3所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

在所述等離子腔室(200、200-1)配備有放置所述基板的基座(240)以及驅動所述基座(240)使其能夠上下移動的基座升降驅動部(250)，

利用所述等離子的基板處理在如下狀態下進行：在所述基座(240)借助所述基座升降驅動部(250)向上移動而緊貼于成為所述等離子上部腔室(200a)的內部空間與所述基板移送空間的邊界的板部(215)的狀態。

5.根據權利要求4所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

還包括：基板升降驅動部(260)，具備上下貫穿所述基座(240)的多個升降銷(261)以及將所述升降銷(261)上下移動地驅動的基板升降氣缸(262)，從而支撐所述基板能夠升降。

6.根據權利要求3所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

將所述等離子上部腔室(200a)的內部空間相對于所述基板移送空間而隔離，使在所述加熱腔室(400、500、500-1)與冷卻腔室(600、600-1)執行工序的內部空間彼此連通。

7.根據權利要求1或2所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

在所述等離子腔室(200、200-1)、加熱腔室(400、500、500-1)以及冷卻腔室(600、600-1)執行工序的內部空間彼此連通。

8.根據權利要求1或2所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

所述腔室以及它們之間的連通的空間是惰性氣體氛圍。

9.根據權利要求1或2所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

所述加熱腔室(400、500、500-1)中包括：配備于所述基板的上部的上部加熱器及配備于所述基板的下部的下部加熱器。

10.根據權利要求1所述的基板的連續處理裝置，其特征在于，

所述加熱腔室(400、500)包括：第一加熱腔室(400)，用于將所述基板以預設的溫度曲線加熱；第二加熱腔室(500)，用于將在所述第一加熱腔室(400)經過加熱的基板以高于所述第一加熱腔室(400)的溫度曲線加熱。