[發明專利]基板的連續處理裝置以及方法

在審

• 申請號: 201710516268.4
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN108206146A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 樸永秀;田銀秀;柳守烈;崔宇鎮;孫侐主;許成壹
• 申請（專利權）人: 系統科技公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/311
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉

本發明的目的在于提供一種如下的基板的連續處理裝置以及方法，其利用等離子去除存在于基板的氧化膜，因此無需使用甲酸。為了實現上述目的，本發明的基板的連續處理裝置包括：等離子腔室(200)，用于利用等離子去除存在于基板的氧化膜；加熱腔室(400、500)，以預設的溫度對在所述等離子腔室(200)經等離子處理的基板進行加熱；冷卻腔室(600)，對從所述加熱腔室(400、500)移送的基板進行冷卻，使所述冷卻的基板被移送到裝載及卸載腔室(100)；移送部(800)，使所述基板在所述腔室之間被移送。

技術領域

本發明涉及一種基板的連續處理裝置以及方法，更為具體地涉及一種不使用甲酸而可以利用等離子去除基板的氧化膜的基板的連續處理裝置以及方法。

背景技術

通常，在半導體基板形成有焊料突出部以將線、導體等連接。作為這種焊料部(隆起物)的制造過程中的一種的回流焊(reflow)工序是將焊料球、焊膏等熔融并緊貼于基板而使其具有適當的外形(Profile)的工序。

執行回流焊(reflow)的裝置具有多個相隔的腔室，以使每個工序步驟在氛圍與溫度上具有等差，為使能夠在這些腔室之間進行連續工序，配備有移送半導體晶圓的裝置。

尤其是，在美國專利US 6827789號與US 7358175號中公開了將多個腔室配備成圓形，并且為了將裝載的半導體晶圓依次移送至各個腔室而使用經過各腔室的旋轉臺，并利用甲酸蒸汽而進行回流焊的裝置以及方法。

在所述美國專利US 6827789號中構成為，配備有包括裝載腔室與卸載腔室的共6個腔室，并使用旋轉臺而將裝載的晶圓依次移動至下一個工序腔室，最終將晶圓移送至卸載腔室，從而通過機械手將完成處理的晶圓卸載。

并且，美國專利US 7358175號記載有經過多個步驟而對晶圓進行加熱處理并回流焊處理的方法。在這種情況下，在加熱晶圓的腔室內部形成甲酸與氮氣氛圍的狀態下進行加熱處理。

所述甲酸用于去除晶圓中存在的氧化膜，甲酸相當于危險物質，因此需要用來處理它的其他設備。因此，需要一種不使用甲酸而去除氧化膜之后進行回流焊處理的裝置。

發明內容

本發明為了解決以上所述的問題而提出，其目的在于提供一種利用等離子去除存在于基板的氧化膜，因此無需使用甲酸的基板的連續處理裝置以及方法。

本發明的另一目的在于，提供一種由于無需利用隔板隔離加熱腔室與冷卻腔室因此結構簡單的基板的連續處理裝置。

用于實現上述目的的本發明的基板的連續處理裝置包括：等離子腔室200，利用等離子去除存在于基板的氧化膜；加熱腔室400、500，將在所述等離子腔室200經過等離子處理的基板加熱至預設的溫度；冷卻腔室600，對從所述加熱腔室400、500移送的基板進行冷卻，并將所述冷卻的基板移送至所述裝載及卸載腔室100；以及移送部800，用于在所述腔室之間移送所述基板。

根據本發明的另一實施例的基板的連續處理裝置包括：第一等離子腔室200-1，用于利用等離子去除存在于基板的氧化膜；第二等離子腔室400-1，對在所述第一等離子腔室200-1經過一次等離子處理的基板進行二次等離子處理，從而去除存在于基板的氧化膜；加熱腔室500-1，將經過所述一次等離子處理以及二次等離子處理的基板加熱至預設的溫度；冷卻腔室600-1，對從所述加熱腔室500-1移送的基板進行冷卻；移送部800-1，用于在所述腔室之間移送所述基板。

所述等離子腔室200、200-1可以包括：等離子上部腔室200a，在內部配備有產生等離子的等離子發生部210；基板移送空間700c，形成于所述等離子上部腔室200a的下方，用于在所述腔室之間移送所述基板，在進行利用所述等離子的基板處理的期間，所述等離子上部腔室200a的內部空間相對于所述基板移送空間700c而隔離。