[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710516059.X
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN107546196B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 巖井裕次;宮脅勝巳
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L21/50;H01L23/495
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

引線框架，其具有第1端子和用于接地的第2端子；

封裝樹脂，其將所述引線框架覆蓋；

露出部，其是所述第2端子的一部分、且從所述封裝樹脂露出；以及

導電性材料，其將所述封裝樹脂的表面覆蓋，在所述露出部與所述第2端子接觸，

所述第1端子及所述第2端子配置在所述半導體裝置的端部，

所述第2端子在該端部具有第1部分、與所述第1部分相比位于內側且比所述第1部分高度高的第2部分，所述第1部分比所述第1端子中的高度最高的部分高，

所述封裝樹脂在所述端部具有所述端部處的高度與所述第1部分相等的薄壁部。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2端子具有：

第3端子，其高度與所述引線框架所具有的所述第1端子相同；以及

導電性部件，其配置在所述第3端子的表面。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述引線框架具有用于搭載半導體芯片的芯片焊盤，

所述第2端子與所述芯片焊盤導通。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述露出部和所述薄壁部形成為將半導體芯片圍繞，

所述導電性材料將圍繞所述半導體芯片的所述露出部及所述薄壁部的表面覆蓋。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

封裝工序，利用封裝樹脂將具有第1端子和用于接地的第2端子的引線框架覆蓋，在所述第2端子形成從所述封裝樹脂露出的露出部；以及

導電性材料形成工序，在所述封裝樹脂的表面涂敷導電性材料，以在所述露出部使所述導電性材料與所述第2端子接觸，

所述第1端子及所述第2端子配置于所述半導體裝置的端部，

該半導體裝置的制造方法具有：端子形成工序，將所述第1端子及所述第2端子形成為所述第2端子的高度比所述第1端子高，

所述封裝工序具有：半切割工序，在所述端子形成工序后，在所述半導體裝置的端部實施將所述第1端子保持為包覆狀態、使所述第2端子露出的半切割，在所述第2端子形成第1部分、第2部分，該第1部分比所述第1端子中的高度最高的部分高，該第2部分與所述第1部分相比位于內側且比所述第1部分高度高。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述端子形成工序具有對所述第1端子進行半蝕刻的工序。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述端子形成工序具有下述工序：

對所述第1端子及所述引線框架所具有的第3端子進行半蝕刻的工序；以及

在所述第3端子的表面配置導電性部件，形成所述第2端子的工序。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述引線框架具有用于搭載半導體芯片的芯片焊盤，

所述第2端子與所述芯片焊盤導通。

9.根據權利要求5至8中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述半切割工序中，以圍繞所述半導體裝置的方式實施半切割，以圍繞半導體芯片的方式形成所述露出部和所述封裝樹脂的薄壁部，

在所述導電性材料形成工序中，利用所述導電性材料將圍繞所述半導體芯片的所述薄壁部的表面及所述露出部覆蓋。