[發明專利]用于等離子體處理的雙區式加熱器

有效

• 申請號: 201710515830.1
• 申請日: 2016-02-05
• 公開（公告）號: CN107230655B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 周建華;R·薩卡拉克利施納;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;X·林
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種用于半導體處理腔室的基座，所述基座包含：

主體，所述主體包含陶瓷材料并且具有凸緣；

多個加熱元件，所述多個加熱元件封圍在所述主體中；

第一軸，所述第一軸耦接到所述主體；以及

第二軸，所述第二軸耦接到所述第一軸；其中所述第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道在所述第二軸中終止，

其中，所述第二軸包含插入件，所述插入件由與所述基座的所述主體的材料不同的材料制成，

其中，所述插入件包括形成在所述插入件中的流體通道，且

其中，形成在所述插入件中的所述流體通道包含第一流體通道，所述第一流體通道與所述插入件外部的第二流體通道流體地連通。

2.根據權利要求1所述的基座，其中所述第二軸至少部分地由套管包裹。

3.根據權利要求2所述的基座，其中所述套管包括形成在所述套管中的流體通道。

4.根據權利要求1所述的基座，其中插入件設置在所述第二軸中。

5.根據權利要求1所述的基座，其中所述第一軸由第一材料制成，并且所述第二軸由不同于所述第一材料的第二材料制成。

6.根據權利要求1所述的基座，其中所述第二軸設置在環形構件的開口中。

7.一種用于半導體處理腔室的基座，所述基座包含：

主體，所述主體包含陶瓷材料；

多個加熱元件，所述多個加熱元件封圍在所述主體中；

第一軸，所述第一軸耦接到所述主體；以及

第二軸，所述第二軸耦接到所述第一軸，

其中，所述第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道的至少一部分在所述第二軸中終止，

其中，所述第二軸包含插入件，所述插入件由與所述基座的所述主體的材料不同的材料制成，

其中，所述插入件包括形成在所述插入件中的流體通道，且

其中，形成在所述插入件中的所述流體通道包含第一流體通道，所述第一流體通道與所述插入件外部的第二流體通道流體地連通。

8.根據權利要求7所述的基座，其中所述第二軸至少部分地由套管包裹。

9.根據權利要求8所述的基座，其中所述套管包括形成在所述套管中的流體通道。

10.根據權利要求7所述的基座，其中所述第一軸由陶瓷材料制成，并且所述第二軸和所述插入件由鋁材制成。

11.根據權利要求7所述的基座，其中所述第二軸設置在環形構件的開口中。