[發明專利]用于等離子體處理的雙區式加熱器

有效

• 申請號: 201710515830.1
• 申請日: 2016-02-05
• 公開（公告）號: CN107230655B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 周建華;R·薩卡拉克利施納;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;X·林
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

本申請公開了用于等離子體處理的雙區式加熱器。提供了一種用于基座的方法和裝置。在一個實施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸緣的主體；嵌入在主體中的一或多個加熱元件；耦接到凸緣的第一軸；以及耦接到第一軸的第二軸；其中第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道在所述第二軸中終止。

本申請是2016年2月5日提交的申請號為201610083040.6、優先權日為2015年2月9日、題為“用于等離子體處理的雙區式加熱器”的申請的分案申請。

技術領域

本文公開的實施例一般地涉及半導體處理腔室，并且更具體地涉及具有多區溫度控制的半導體處理腔室的加熱的支撐基座。

背景技術

半導體處理涉及大量不同的化學和物理工藝，所述工藝使得能夠在基板上形成微小的集成電路。通過化學氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長等等形成了構成集成電路的材料層。使用光刻膠掩模以及濕式或者干式蝕刻技術來圖案化材料層中的一些材料層。用來形成集成電路的基板可以是硅、砷化鎵、磷化銦、玻璃或者其他適當的材料。

在集成電路的制造中，等離子體工藝往往用于沉積或者蝕刻各種材料層。等離子體處理提供了優于熱處理的許多優點。例如，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)允許在比類似的熱工藝中可實現的更低的溫度以及更高的沉積速率來執行沉積工藝。因此，PECVD對于具有嚴格的熱預算的集成電路制造(諸如，對于特大規模或者超大規模集成電路(VLSI或者ULSI)器件制造)是有利的。

用于這些工藝中的處理腔室通常包括設置在其中的基板支撐件或者基座以在處理期間支撐基板。在一些工藝中，基座可包括嵌入式加熱器，所述嵌入式加熱器適用于控制基板的溫度和/或提供可在工藝中使用的升高的溫度。常規意義上而言，基座可由陶瓷材料制成，陶瓷材料一般提供所需的器件制造結果。

然而，陶瓷基座產生了許多挑戰。這些挑戰中的一個挑戰為在處理期間對基座和基板的多區式加熱和/或準確的溫度控制。

因此，所需要的是在多個區域中溫度受控的基座。

發明內容

提供了一種用于加熱的基座的方法和裝置。在一個實施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸緣的主體；嵌入在主體中的一個或多個加熱元件；耦接到凸緣的第一軸，以及耦接到第一軸的第二軸，其中，第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道在第二軸中終止。

在另一實施例中，提供了一種用于半導體處理腔室的基座。所述基座包括：包含陶瓷材料的主體；被封圍在主體中的多個加熱元件；耦接到主體的第一軸；以及耦接到第一軸的第二軸；其中第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道的至少部分在第二軸中終止。

在又一實施例中，提供了一種用于半導體處理腔室的基座。所述基座包括：包含陶瓷材料的主體；被封圍在主體中的多個加熱元件；耦接到主體的第一軸；以及耦接到第一軸的第二軸；其中第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道的至少部分在第二軸中終止，并且其中，第一軸由第一材料制成，并且第二軸由與第一材料不同的第二材料制成。

附圖說明

因此，為了可詳細地理解本公開的上述特征的方式，可參照實施例來進行對上文簡要概述內容的更特定的描述，所述實施例中的一些圖示在附圖中。然而，應當注意，附圖僅圖示典型的實施例，并且因此不應被視為限制本發明的范圍，因為本文所公開的實施例可允許其他等效的實施例。

圖1是等離子系統的一個實施例的局部剖視圖。

圖2是可用于圖1的等離子系統中的基座的一個實施例的示意性剖視圖。

圖3A是可用于圖1的等離子系統中的基座的另一實施例的示意性剖視圖。

圖3B到圖3D是圖3A的基座的第一軸的替代實施例的剖視圖。