[發(fā)明專利]一種FinFET器件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710508922.7 | 申請日： | 2017-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN109148580B | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 finfet 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多個(gè)虛擬鰭片；
沉積隔離材料層，以完全填充所述虛擬鰭片之間的間隙；
回刻蝕所述虛擬鰭片，以在所述隔離材料層之間形成第一凹槽；
在所述第一凹槽內(nèi)沉積鰭片材料層；
回蝕刻部分所述鰭片材料層以形成第二凹槽；
在所述第二凹槽中形成掩膜層；
回蝕刻所述隔離材料層，以露出所述鰭片材料層的一部分，形成具有特定高度的鰭片結(jié)構(gòu)；
執(zhí)行溝道停止離子注入，以形成穿通停止層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，選用橫向擴(kuò)散離子注入的方法進(jìn)行溝道停止離子注入。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鰭片材料層包括SiGe層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鰭片材料層包括III-V族半導(dǎo)體材料層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔離材料層包括氧化硅層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述隔離材料層的方法包括流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積法。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，回刻蝕所述虛擬鰭片至所述半導(dǎo)體襯底之上、所述隔離材料層的頂面以下。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在執(zhí)行溝道停止離子注入，以形成穿通停止層之后還包括執(zhí)行退火處理的步驟。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在執(zhí)行溝道停止離子注入，以形成穿通停止層之后還包括去除所述掩膜層的步驟。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
