[發(fā)明專利]存儲器陣列中的錯誤校正方法及實施其的系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710508727.4
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107564568B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 池育德;李嘉富;劉建瑛;史毅駿;陳冠均;楊學(xué)之;呂士濂
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種校正存儲器陣列中的錯誤的方法。該方法包括配置具有第一糾錯碼(ECC)的第一存儲器陣列以提供存儲在第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)的錯誤校正，配置具有第二ECC的第二存儲器陣列以提供存儲在第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)的錯誤校正，對第一存儲器陣列和第二存儲器陣列實施回流工藝，以及至少基于第一ECC或第二ECC校正存儲在第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)。第一存儲器陣列包括布置為多行和多列的第一組存儲器單元。第二存儲器陣列包括布置多行和多列的第二組存儲器單元。本發(fā)明還提供了實施校正存儲器陣列中的錯誤的方法的系統(tǒng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及存儲器陣列的錯誤校正方法及實施其的系統(tǒng)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)制造出各種各樣的數(shù)字器件來解決多個不同領(lǐng)域中的問題。這些數(shù)字器件中的一些(諸如存儲器陣列)配置為用于存儲數(shù)據(jù)。在存儲器陣列的制造工藝期間，存儲器陣列的部分被破壞或包含損壞的數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種校正存儲器陣列中的錯誤的方法，所述方法包括：配置具有第一糾錯碼ECC的第一存儲器陣列以提供存儲在所述第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)的錯誤校正，所述第一存儲器陣列包括布置為多行和多列的第一組存儲器單元，所述第一組存儲器單元中的一行存儲器單元包括第一組存儲器字，所述第一組存儲器字中的每個字包括第一組比特；配置具有第二ECC的第二存儲器陣列以提供存儲在所述第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)的錯誤校正，所述第二存儲器陣列包括布置為多行和多列的第二組存儲器單元，所述第二組存儲器單元中的一行存儲器單元包括第二組存儲器字，所述第二組存儲器字中的每個字包括第二組比特；對所述第一存儲器陣列和所述第二存儲器陣列實施回流工藝；以及至少基于所述第一ECC或所述第二ECC來校正存儲在所述第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種校正存儲器陣列中的錯誤的方法，所述方法包括：配置具有第一糾錯碼ECC的第一存儲器陣列以提供存儲在所述第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)的錯誤校正，所述第一存儲器陣列包括布置為多行和多列的第一組存儲器單元，所述第一組存儲器單元中的一行存儲器單元包括第一組存儲器字，所述第一組存儲器字中的每個字包括第一組比特；配置具有第一奇偶校驗的第二存儲器陣列的第一部分，所述第一奇偶校驗配置為提供存儲在所述第一存儲器陣列的行中的所述數(shù)據(jù)的錯誤檢測，所述第二存儲器陣列的所述第一部分包括存儲第一組數(shù)據(jù)的第二組存儲器單元；配置具有第二奇偶校驗的所述第二存儲器陣列的第二部分，所述第二奇偶校驗配置為提供存儲在所述第一存儲器陣列的列中的數(shù)據(jù)的錯誤檢測，所述第二存儲器陣列的所述第二部分包括存儲第二組數(shù)據(jù)的第三組存儲器單元；配置具有第二ECC的所述第二存儲器陣列的所述第二部分以提供存儲在所述第二存儲器陣列的所述第二部分中的所述第二組數(shù)據(jù)的錯誤校正；對所述第一存儲器陣列和所述第二存儲器陣列實施回流工藝；至少基于(1)所述第一ECC或(2)所述第一奇偶校驗和所述第二奇偶校驗來校正存儲在所述第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)的至少部分；以及基于所述第二ECC來校正存儲在所述第二存儲器陣列的所述第二部分中的所述第二組數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種校正存儲器陣列中的錯誤的方法，所述方法包括：配置具有第一糾錯碼(ECC)的第一存儲器陣列以提供存儲在所述第一存儲器陣列中的一組數(shù)據(jù)的錯誤校正，從而生成第一組數(shù)據(jù)，所述第一存儲器陣列包括布置為多行和多列的第一組存儲器單元，所述第一組存儲器單元中的一行存儲器單元包括第一組存儲器字，所述第一組存儲器字中的每個字包括第一組比特；將第二組數(shù)據(jù)存儲在第二存儲器陣列中，所述第二組數(shù)據(jù)至少包括所述第一組數(shù)據(jù)的副本，所述第二存儲器陣列包括布置為多行和多列的第二組存儲器單元；對所述第一存儲器陣列和所述第二存儲器陣列實施回流工藝；基于所述第一組數(shù)據(jù)和所述第二組數(shù)據(jù)來恢復(fù)所述第一組數(shù)據(jù)的至少部分；以及基于ECC校正所述恢復(fù)的第一組數(shù)據(jù)中的錯誤。