[發明專利]存儲器陣列中的錯誤校正方法及實施其的系統

有效

• 申請號: 201710508727.4
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107564568B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 池育德;李嘉富;劉建瑛;史毅駿;陳冠均;楊學之;呂士濂
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種校正存儲器陣列中的錯誤的方法，所述方法包括：

配置具有第一糾錯碼(ECC)的第一存儲器陣列以提供存儲在所述第一存儲器陣列中的數據的錯誤校正，所述第一存儲器陣列包括布置為多行和多列的第一組存儲器單元，所述第一組存儲器單元中的一行存儲器單元包括第一組存儲器字，所述第一組存儲器字中的每個字包括第一組比特；

配置第二存儲器陣列的部分以具有第一奇偶校驗，所述第一奇偶校驗被配置為對存儲在所述第一存儲器陣列中的行或列中的數據提供錯誤校正，所述第二存儲器陣列的所述部分包括存儲第一組數據的第二組存儲器單元；

配置所述第二存儲器陣列以具有第二糾錯碼，所述第二糾錯碼被配置為對存儲在所述第二存儲器陣列中的所述第一組數據提供錯誤校正，所述第二存儲器陣列包括布置為多行和多列的所述第二組存儲器單元，所述第二組存儲器單元中的一行存儲器單元包括第二組存儲器字，所述第二組存儲器字中的每個字包括第二組比特；

對所述第一存儲器陣列和所述第二存儲器陣列實施回流工藝；以及

至少基于所述第一糾錯碼或所述第二糾錯碼來校正存儲在所述第一存儲器陣列中的數據。

2.根據權利要求1所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，其中，

所述第一存儲器單元是所述存儲器陣列的第一部分；以及

所述第二存儲器單元是所述存儲器陣列的第二部分。

3.根據權利要求1所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，其中，

所述第一糾錯碼是N比特糾錯碼，其中，N是對應于所述第一組存儲器字的至少一個字中由所述第一糾錯碼提供的錯誤保護的比特數的正整數。

4.根據權利要求3所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，其中，

所述第二糾錯碼是M1比特糾錯碼，其中，M1是對應于所述第二存儲器陣列中的所述第二組存儲器字的至少一個字中由所述第二糾錯碼提供的錯誤保護的比特數的正整數，并且M1大于N。

5.根據權利要求4所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，其中，至少基于所述第一糾錯碼或所述第二糾錯碼來校正存儲在所述第一存儲器陣列中的數據包括：

如果所述第一存儲器陣列中的所述第一組存儲字的至少一個字中的錯誤數量小于或等于N比特，則基于所述第一糾錯碼校正存儲在所述第一存儲器陣列中的數據。

6.根據權利要求4所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，其中，至少基于所述第一糾錯碼或所述第二糾錯碼來校正存儲在所述第一存儲器陣列中的數據包括：

基于所述第二糾錯碼校正存儲在所述第一存儲器陣列中的數據。

7.根據權利要求1所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，其中，所述第一糾錯碼或所述第二糾錯碼是漢明ECC、里德-所羅門ECC或BCH ECC。

8.根據權利要求1所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，還包括：

將所述數據存儲在所述第一存儲器陣列中；以及

將所述存儲器陣列劃分為所述第一存儲器陣列和所述第二存儲器陣列。

9.根據權利要求1所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，其中，

所述第一存儲器陣列是所述存儲器陣列的部分，以及

所述第二存儲器陣列是另一存儲器陣列的部分，其中，所述另一存儲器陣列與所述存儲器陣列不同。

10.根據權利要求1所述的校正存儲器陣列中的錯誤的方法，還包括：

在校正所述第一存儲器陣列中的錯誤之后釋放所述第二存儲器陣列。