[發(fā)明專利]抗硫化電阻器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710508430.8 | 申請日: | 2017-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN107331486A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 暢玢;韓玉成;張鐸;郭娜;茍廷剛;朱威禹;廖東;劉艷 | 申請(專利權)人: | 中國振華集團云科電子有限公司 |
| 主分類號: | H01C1/032 | 分類號: | H01C1/032;H01C17/02 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371 | 代理人: | 吳開磊 |
| 地址: | 550000 貴州省貴陽*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硫化 電阻器 及其 制備 方法 | ||
1.一種抗硫化電阻器,其特征在于,所述抗硫化電阻器包括基片、電極、電阻體以及保護涂層;
其中,所述電極包括依次設置的內部電極、中間電極以及外部電極;
所述內部電極包括設置于基片表面兩端的表面電極、設置于基片背面的背面電極,以及設置于基片側面用于連接表面電極和背面電極的側面電極;
所述電阻體設置于基片表面,其兩端與表面電極相連接;
所述保護涂層設置于電阻體表面;
其中,所述表面電極為金電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的抗硫化電阻器,其特征在于,所述保護涂層包括直接設置于電阻體上表面的玻璃保護涂層,以及設置于玻璃保護涂層外的包封層或保護玻璃涂層;
優(yōu)選的,所述包封層為環(huán)氧樹脂包封層;
優(yōu)選的,所述玻璃保護涂層為耐酸性玻璃保護層。
3.根據(jù)權利要求1所述的抗硫化電阻器,其特征在于,所述中間電極為鎳電極;
和/或,所述外部電極為錫電極。
4.根據(jù)權利要求1所述的抗硫化電阻器,其特征在于,所述背面電極為銀電極;
和/或,所述側面電極為鎳鉻合金電極。
5.根據(jù)權利要求1所述的抗硫化電阻器,其特征在于,所述抗硫化電阻器通過表面貼裝與電路進行電氣連接。
6.權利要求1-5中任一項所述抗硫化電阻器的制備方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
在基板的上表面沿長度方向的兩端印刷表面電極,在基板的下表面印刷背面電極;通過絲網(wǎng)印刷或磁控濺射形成電阻體,并覆蓋表面電極間的區(qū)域;在電阻體表面通過印刷形成保護涂層;
將基板沿寬度方向折裂,在折裂分離后的陶瓷基板的側面,通過磁控濺射形成側面電極,以連通表面電極和背面電極;
在內部電極外表面通過沉積依次形成中間電極以及外部電極。
7.根據(jù)權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述基板為陶瓷基板,并設置有折裂刻槽;
優(yōu)選的,所述陶瓷基板為氧化鋁陶瓷基板。
8.根據(jù)權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述電阻體表面通過印刷形成保護涂層包括如下步驟:
首先,通過印刷在電阻體外表面形成玻璃保護層;然后,對電阻體的阻值進行修正;再在修正后的電阻體表面通過印刷形成包封層或保護玻璃層;
優(yōu)選的,所述對電阻體的阻值進行修正為采用激光切割的方式對電阻體的阻值進行修正,以達到目標值。
9.根據(jù)權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括將形成側面電極的基板二次折裂,并得到單只電阻器半成品的步驟。
10.包含權利要求1-5中任一項所述抗硫化電阻器的電子器件。
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