[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710506882.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN107706236B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大部功;梅本康成;吉田茂;柴田雅博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H01L29/737
• 分類號(hào): H01L29/737;H01L29/08
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

本發(fā)明提供一種異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，能夠維持控制穩(wěn)定性同時(shí)降低基極?集電極間電容的集電極電壓依存性。所述異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)具備：具有對(duì)置的第一主面和第二主面的半導(dǎo)體基板、依次層疊于半導(dǎo)體基板的第一主面?zhèn)鹊募姌O層、基極層、以及發(fā)射極層，集電極層包括分散有多個(gè)金屬原子耦合而形成的金屬微粒的第一半導(dǎo)體層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管。

背景技術(shù)

在便攜式電話等移動(dòng)體通信機(jī)中，為了放大向基站發(fā)送的無(wú)線頻率(RF：RadioFrequency)信號(hào)的功率，廣泛使用異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)。HBT中，在高頻的RF信號(hào)的放大時(shí)，基極-集電極間電容對(duì)應(yīng)于集電極電壓的變動(dòng)而變動(dòng)，從而有時(shí)失真特性惡化。因此，為了改善失真特性，要求相對(duì)于集電極電壓的變動(dòng)而基極-集電極間電容的變動(dòng)較小(即，基極-集電極間電容的集電極電壓依存性較低)。例如，專利文獻(xiàn)1中公開了一種通過(guò)研究集電極層的摻雜分布來(lái)降低基極-集電極間電容的集電極電壓依存性的HBT。

專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開第2015/005037號(hào)

專利文獻(xiàn)1所公開的HBT中，由于根據(jù)復(fù)雜的摻雜分布來(lái)形成集電極層，所以集電極層的制造時(shí)的摻雜工序變得復(fù)雜，從而有缺乏控制穩(wěn)定性、量產(chǎn)時(shí)成品率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這樣的事情而完成的，其目的在于提供維持控制穩(wěn)定性、同時(shí)降低基極-集電極間電容的集電極電壓依存性的HBT。

為了實(shí)現(xiàn)這樣的目的，本發(fā)明的一個(gè)方案的HBT具備：具有對(duì)置的第一主面和第二主面的半導(dǎo)體基板、依次層疊于半導(dǎo)體基板的第一主面?zhèn)鹊募姌O層、基極層、以及發(fā)射極層，集電極層包括第一半導(dǎo)體層，在該第一半導(dǎo)體層分散有多個(gè)金屬原子耦合而形成的金屬微粒。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供維持控制穩(wěn)定性、同時(shí)降低基極-集電極間電容的集電極電壓依存性的HBT。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的HBT100A的剖視圖。

圖2A是使用了普通的HBT的功率放大電路的電路圖的一個(gè)例子。

圖2B是示出普通的HBT的集電極電壓Vc與集電極電流Ic的關(guān)系的曲線圖。

圖2C是示出普通的HBT的集電極層中的耗盡層擴(kuò)展的形態(tài)的示意圖。

圖3是示出普通的HBT的基極-集電極間電壓Vbc與基極-集電極間電容Cbc的關(guān)系的模擬結(jié)果的曲線圖。

圖4A是分散有As微粒的GaAs的透射式電子顯微鏡照片。

圖4B是分散有As微粒的GaAs的透射式電子顯微鏡照片的放大圖。

圖5A是一個(gè)As微粒以及其周邊區(qū)域的示意圖。

圖5B是多個(gè)As微粒以及其周邊區(qū)域的示意圖。

圖6是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的變形例的HBT100B的剖視圖。

圖7是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的其它變形例的HBT100C的剖視圖。

圖8是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的其它變形例的HBT100D的局部剖視圖。

圖9A是示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的其它變形例的HBT100C的制造方法的順序的圖。

圖9B是示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的其它變形例的HBT100C的制造方法的順序的圖。

圖9C是示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的其它變形例的HBT100C的制造方法的順序的圖。