[發(fā)明專利]異質結雙極型晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710506882.2
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107706236B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 大部功;梅本康成;吉田茂;柴田雅博
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種異質結雙極型晶體管，其具備：

具有對置的第一主面和第二主面的半導體基板、依次層疊于上述半導體基板的上述第一主面?zhèn)鹊募姌O層、基極層、以及發(fā)射極層，

上述集電極層包括第一半導體層，在該第一半導體層分散有多個金屬原子耦合而形成的金屬微粒。

2.根據權利要求1所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述集電極層在上述第一半導體層與上述基極層之間還包括第二半導體層，

上述第二半導體層包含GaAs作為主成分。

3.根據權利要求1或2所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述集電極層在上述第一半導體層與上述基極層之間還包括第三半導體層，

上述第三半導體層包含AlGaAs作為主成分。

4.根據權利要求1或2所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述異質結雙極型晶體管在上述半導體基板的上述第二主面?zhèn)冗€具備集電極電極。

5.根據權利要求4所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述異質結雙極型晶體管在上述半導體基板與上述集電極層之間還具備子集電極層，

上述子集電極層形成為與鄰接于上述異質結雙極型晶體管形成的其它異質結雙極型晶體管所具備的子集電極層分離，

上述其它異質結雙極型晶體管在上述集電極層上具備依次層疊于上述半導體基板的上述第一主面?zhèn)鹊幕鶚O層以及發(fā)射極層。

6.根據權利要求5所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述半導體基板包括從上述第一主面貫通至上述第二主面的貫通部，

上述集電極電極通過形成在上述半導體基板的上述貫通部的內部來與上述異質結雙極型晶體管的上述子集電極層接觸。

7.根據權利要求1或2所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述金屬微粒包含As作為主成分。

8.根據權利要求1或2所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述第一半導體層包含GaAs作為主成分。

9.根據權利要求1或2所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述發(fā)射極層包含InGaP或者AlGaAs中任一方作為主成分。

10.根據權利要求1或2所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述基極層包含GaAs、InGaAs、或者GaAsSb中任一方作為主成分。

11.根據權利要求1或2所述的異質結雙極型晶體管，其中，

上述半導體基板包含GaAs作為主成分。