[發明專利]多層薄膜電容器

有效

• 申請號: 201710505273.5
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN108022754B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 樸魯逸;申鉉浩;林承模;俞東植
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G4/232
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;馬翠平

1.一種多層薄膜電容器，包括：

第一多層主體，具有多個內電極層和介電層交替地堆疊的結構；

第二多層主體，設置在所述第一多層主體的下表面上并具有多個內電極層和介電層交替地堆疊的結構；

第一外部端子，設置在所述第一多層主體的上表面上并連接到所述第一多層主體的所述內電極層；

第二外部端子，設置在所述第一多層主體的上表面上并連接到所述第一多層主體的所述內電極層以及所述第二多層主體的所述內電極層；

第三外部端子，設置在所述第一多層主體的上表面上并在與所述第一多層主體的內電極層絕緣的情況下連接到所述第二多層主體的所述內電極層；及

分離層，設置在所述第一多層主體和所述第二多層主體之間，以使所述第一多層主體和所述第二多層主體在豎直方向上彼此分開。

2.如權利要求1所述的多層薄膜電容器，其中，所述第一多層主體包括第一內電極層和第二內電極層，所述第一多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層與設置在所述第一多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層之間的各介電層交替地設置，

所述第二多層主體包括第一內電極層和第二內電極層，所述第二多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層與設置在所述第二多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層之間的各介電層交替地設置，

所述第一多層主體的所述第一內電極層通過第一過孔連接到所述第一外部端子，

所述第二多層主體的所述第一內電極層通過第三過孔連接到所述第三外部端子，并且

所述第一多層主體的所述第二內電極層和所述第二多層主體的所述第二內電極層通過第二過孔連接到所述第二外部端子，使得所述第二過孔穿過所述第一多層主體和所述第二多層主體二者。

3.如權利要求2所述的多層薄膜電容器，其中，所述第二過孔由一組多電極孔構成，并且各電極孔從所述第二外部端子的下表面延伸直到所述第二多層主體中的同一第二內電極層。

4.如權利要求1所述的多層薄膜電容器，其中，所述第一多層主體包括第一內電極層和第二內電極層，所述第一多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層與設置在所述第一多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層之間的各介電層交替地設置，

所述第二多層主體包括第一內電極層和第二內電極層，所述第二多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層與設置在所述第二多層主體的所述第一內電極層和所述第二內電極層之間的各介電層交替地設置，

所述第一多層主體的所述第一內電極層通過第一過孔連接到所述第一外部端子，

所述第二多層主體的所述第一內電極層通過第三過孔連接到所述第三外部端子，

所述第一多層主體的所述第二內電極層和所述第二多層主體的所述第二內電極層通過第二過孔連接到所述第二外部端子，并且

所述第二過孔由一組多電極孔構成，并且所述組中的至少一個電極孔和另一電極孔延伸到不同的內電極層。

5.如權利要求4所述的多層薄膜電容器，其中，所述至少一個電極孔延伸到所述第一多層主體的所述第二內電極層，所述另一電極孔延伸到所述第二多層主體的所述第二內電極層。

6.如權利要求1所述的多層薄膜電容器，其中，所述第二外部端子包括至少兩個導電層，并且設置在所述至少兩個導電層的最下部的第一導電層的表面面積大于設置在所述第一導電層上的第二導電層的表面面積。

7.如權利要求1所述的多層薄膜電容器，其中，堆疊在所述第一多層主體中的介電層的數量等于堆疊在所述第二多層主體中的介電層的數量。

8.如權利要求1所述的多層薄膜電容器，其中，通過所述第一多層主體中的所述內電極層與所述第一外部端子和所述第二外部端子形成的電容等于通過所述第二多層主體中的所述內電極層與所述第二外部端子和所述第三外部端子形成的電容。

9.如權利要求1所述的多層薄膜電容器，其中，所述分離層具有絕緣特性，并包括SiO₂或SiN_x基材料。