[發(fā)明專利]集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710504535.6 | 申請日: | 2017-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN107611116B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高瑞智;蔡明達;傅源豫;許志駿 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552;H01L23/64;H01L23/66 |
| 代理公司: | 北京市萬慧達律師事務(wù)所 11111 | 代理人: | 白華勝;王蕊 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 | ||
1.一種集成電路,其特征在于,包括:
封裝的載體,
IC芯片,設(shè)置在所述封裝的載體之上,所述IC芯片包括電磁耦合器件;
電磁屏蔽層,設(shè)置在所述封裝的載體的表面上,其中所述電磁屏蔽層與所述電磁耦合器件對應(yīng)且所述電磁屏蔽層和所述電磁耦合器件在所述封裝的載體的表面的垂直投射方向上部分重疊;
模塑材料,設(shè)置在所述封裝的載體之上,用于封裝所述集成電路中的所述IC芯片;
地層,圍繞所述電磁屏蔽層且與所述電磁屏蔽層連接,其中所述地層和所述電磁屏蔽層屬于相同的圖案層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,所述電磁屏蔽層包括對稱圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路,其特征在于,所述對稱圖案是放射性圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路,其特征在于,所述放射性圖案是星形圖案或者雪花形圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路,其特征在于,所述電磁屏蔽層進一步包括圍繞所述對稱圖案的框架圖案,所述框架圖案以及所述對稱圖案彼此連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路,其特征在于,所述框架圖案以及所述對稱圖案通過所述對稱圖案的支路彼此連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,所述電磁屏蔽層具有閉環(huán)圖案,或者,所述電磁屏蔽層具有開環(huán)圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,所述電磁屏蔽層是浮接的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,所述電磁屏蔽層包括多個支路。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,所述電磁屏蔽層的材料包括銅,鎳,鈀,金中至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,所述電磁耦合器件包括電感器,或者,線圈。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,所述電磁耦合器件包括傳輸線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路,其特征在于,所述傳輸線包括微帶線,共面波導(dǎo),接地的共面波導(dǎo)中的一個。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,進一步包括:位于所述電磁屏蔽層和電磁耦合器件之間的間隙,所述模塑材料包括位于所述電磁屏蔽層和所述電磁耦合器件之間的間隙中的底部填充物。
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