[發(fā)明專利]一種PD電源產(chǎn)品老化測(cè)試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710504218.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107356882B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賴奕佳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 芯海科技(深圳)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/40 | 分類號(hào): | G01R31/40 |
| 代理公司: | 深圳市凱達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44256 | 代理人: | 劉大彎 |
| 地址: | 518067 廣東省深圳市南山*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 pd 電源 產(chǎn)品 老化 測(cè)試 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種PD電源產(chǎn)品老化測(cè)試方法,其特征在于該方法包含以下步驟:
步驟S1:老化測(cè)試系統(tǒng)與PD電源建立TYPE-C連接:老化測(cè)試系統(tǒng)接入PD電源后,由于MCU死電池功能,PD電源會(huì)檢測(cè)到設(shè)備的接入并開(kāi)啟VBUS開(kāi)關(guān)放電,老化測(cè)試系統(tǒng)MCU由VBUS電壓經(jīng)過(guò)LDO供電模塊供電,雙方建立TYPE-C連接;
步驟S2:老化測(cè)試系統(tǒng)記錄保存PD電源PDO數(shù)量:雙方建立TYPE-C連接后,PD電源會(huì)主動(dòng)發(fā)送Source_Cap給老化測(cè)試系統(tǒng),包含信息有PD電源的PDO個(gè)數(shù),PDO的電壓值以及帶載能力信息;
步驟S3:PD電源準(zhǔn)備相應(yīng)的PDO電壓輸出:PD電源接收到老化測(cè)試系統(tǒng)的Request指令后,評(píng)估自身的帶載能力后發(fā)送Accept指令給老化測(cè)試系統(tǒng),并在一定時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)備好相應(yīng)的PDO電壓,最后發(fā)送Ps_Ready指令給老化測(cè)試系統(tǒng),完成第一擋 位的PDO輸出測(cè)試;相應(yīng)的PDO電壓通過(guò)輸出模塊輸出到電子負(fù)載端;
步驟S4:老化測(cè)試系統(tǒng)輪訓(xùn)測(cè)試下一擋 位PD電源的PDO:通過(guò)單按按鍵,老化測(cè)試系統(tǒng)會(huì)發(fā)送Get_Source_Cap給PD電源,PD電源再次發(fā)送Source_Cap給到老化測(cè)試系統(tǒng),老化測(cè)試系統(tǒng)自動(dòng)根據(jù)當(dāng)前擋 位的PDO發(fā)送Request選取下一擋 位的PDO給PD電源,PD電源評(píng)估自身的能力后會(huì)發(fā)送Accept指令和Ps_Ready指令給老化測(cè)試系統(tǒng),相應(yīng)的PDO電壓通過(guò)輸出模塊輸出到電子負(fù)載端;
步驟S5:老化模式設(shè)置:通過(guò)長(zhǎng)按按鍵3秒,可以讓老化測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)入老化測(cè)試模式,通過(guò)設(shè)置相應(yīng)的老化測(cè)試時(shí)間后,老化測(cè)試系統(tǒng)便會(huì)自動(dòng)計(jì)時(shí),并輪訓(xùn)測(cè)試PD電源的下一擋位PDO,直到把PD電源的最后一擋 PDO測(cè)試完畢退出老化測(cè)試模式。
2.如權(quán)利要求1所述的PD電源產(chǎn)品老化測(cè)試方法,其特征在于所述步驟S2中,老化測(cè)試系統(tǒng)用專門寄存器記錄PD電源的PDO個(gè)數(shù)以及PDO的詳細(xì)電壓電流信息,并發(fā)送選取第一擋PDO的Request指令給PD電源。
3.如權(quán)利要求1所述的PD電源產(chǎn)品老化測(cè)試方法,其特征在于所述步驟S4中,通過(guò)雙按按鍵可以輪訓(xùn)上一擋 位的PD電源的PDO。
4.如權(quán)利要求1所述的PD電源產(chǎn)品老化測(cè)試方法,其特征在于所述步驟S5中,所述的測(cè)試模式老化測(cè)試時(shí)間可以任意設(shè)置2小時(shí)內(nèi)以分鐘為單位的任意時(shí)間。
5.如權(quán)利要求4所述的PD電源產(chǎn)品老化測(cè)試方法,其特征在于所述步驟S5中,進(jìn)入老化測(cè)試模式后,當(dāng)測(cè)試到VBUS實(shí)際電壓與PDO宣稱的電壓偏差超過(guò)5%時(shí),系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)報(bào)警并停止老化測(cè)試。
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G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
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G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
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