[發(fā)明專利]一種基于復(fù)合真空鍍膜機的真空鍍膜方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710501027.2
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107400856A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樊召
• 申請（專利權(quán)）人: 樊召
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司44214
• 代理人: 吳世民

1.一種基于復(fù)合真空鍍膜機的真空鍍膜方法，其特征在于：包括以下步驟：步驟一：打開左爐熱蒸發(fā)源，裝入防指紋蒸發(fā)材料，在左端真空爐體中的左爐工件架上裝好被鍍工件，打開工件架旋轉(zhuǎn)，使工件架以每分鐘1~4轉(zhuǎn)的公轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，關(guān)好左端真空爐體門，對左端真空爐體進行抽氣，真空度達到0.05~0.02Pa，同時對工件進行加熱到溫度為100~160度，此時，右端真空爐體與左端真空爐體同樣完成上述操作；步驟二：對左端真空爐體充入工作氣體氬氣，使真空度保持在1~3Pa，對工件架施加-200V~-500V偏壓，根據(jù)工件大小及數(shù)量調(diào)節(jié)偏壓大小，使工件表面形成輝光放電，保持3~30分鐘加壓時間，對工件進行輝光清洗處理；步驟三：調(diào)節(jié)左端真空爐體氬氣充入量使真空度保持在0.02~0.08Pa，偏壓調(diào)節(jié)到-100V~-400V，依次打開電弧源，電弧源濺射材料為鉻或鈦中的一種，電弧電流控制在35~100A，每個電弧工作1~5分鐘，根據(jù)工件大小及數(shù)量調(diào)節(jié)電弧電流的大小以保證清洗效果；步驟四：繼續(xù)對左端真空爐體進行操作，完成清洗工作后關(guān)閉電弧源，停止氬氣充入，關(guān)閉工件偏壓及工件旋轉(zhuǎn)，打開左端真空爐體與高真空爐體間的插板閥，將在左端真空爐體中的工件架運送到高真空爐體后關(guān)閉插板閥，而后打開工件架，準備進行鍍膜；步驟五：保持高真空爐體真空度達到0.02~0.002Pa，充入工作氣體氬氣使爐內(nèi)的真空度保持在0.1~0.8Pa，對工件架施加-60V~-200V偏壓，打開磁控濺射源中頻電源，電流控制在10~50A范圍內(nèi)，使磁控源工作，對工件進行金屬層鍍膜，鍍膜時間為3~30分鐘；步驟六：調(diào)整高真空爐內(nèi)的氬氣充入量，保持真空度0.2~0.6Pa,偏壓調(diào)整到-30~-150V，加入反應(yīng)氣體氮氣和乙炔，鍍膜時間為10~100分鐘，通過調(diào)整反應(yīng)氣體的配比及充入量，控制鍍膜層L值在85~25區(qū)間，可呈現(xiàn)出銀色，灰色，黑色等不同顏色膜層；步驟七：關(guān)閉磁控濺射源，關(guān)閉所有充入氣體，關(guān)閉偏壓及工件架旋轉(zhuǎn)；步驟八：打開左端真空爐與高真空爐間的插板閥，將高真空爐體中的左爐工件架運送到左端真空爐體后左插板閥；步驟九：打開左爐工件架旋轉(zhuǎn)，對左爐真空爐內(nèi)充入氬氣至真空度0.02~0.04Pa，充入反應(yīng)氣體氧氣20~200sccm，打開左端真空爐體的左爐磁控濺射源，電流為5~20A，磁控源靶材為二氧化硅或其它硅基靶材，調(diào)整氧氣及磁控源電流比例使工件表面沉積出2~100nm透明硅基過渡層，然后關(guān)閉磁控源及氣體充入；步驟十：在熱蒸發(fā)源電極通入5~36V,電流為10~300A加熱電流至蒸發(fā)源發(fā)熱將防指紋蒸發(fā)材料氣化后沉積在工件表面，蒸發(fā)時間為2~10分鐘，防指紋膜層的厚度控制在3~400nm，而后，對左端真空爐體恢復(fù)大氣壓，取出鍍好的工件；步驟十一：重復(fù)步驟一，完成左端真空爐體一次鍍膜；在步驟九操作的同時右端真空爐體同樣對應(yīng)完成左端真空爐體完成的步驟二至步驟十一，完成右端真空爐體一次鍍膜，從而完成一次循環(huán)操作。