[發明專利]半導體裝置的形成方法

有效

• 申請號: 201710499222.6
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN109148269B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 張峰溢;李甫哲;陳界得;張翊菁
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體裝置的形成方法，其特征在于包含：

在一個基底上形成一個材料層；

進行一側壁圖案轉移制作工藝，以在該材料層上形成多個第一掩模圖案，該些第一掩模圖案平行地沿著一第一方向延伸；

進行一圖案分裂制作工藝，移除一部分的該些第一掩模圖案，以形成多個第二開口圖案，該第二開口圖案平行地沿著一第二方向延伸，并橫跨該些第一掩模圖案，其中，各該第二開口圖案同時重疊于該些第一掩模圖案中的多個；以及

以剩余的該些第一掩模圖案作為掩模進行一圖案化制作工藝，以在該材料層形成多個圖案，該些圖案形成一陣列排列。

2.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該圖案分裂制作工藝包含：

形成一個犧牲層與一個掩模層，覆蓋在該第一掩模圖案上，該犧牲層充填于各該第一掩模圖案之間；

部分移除該掩模層，以在該掩模層內形成多個第一初始開口，該些第一初始開口沿著該第二方向延伸；

圖案化該犧牲層以及該第一掩模圖案，以形成一部分的該些第二開口圖案；

形成另一個犧牲層與另一個掩模層，覆蓋在該第一掩模圖案上，該另一犧牲層充填于各該第一掩模圖案之間；

部分移除該另一掩模層，以在該另一掩模層內形成多個第二初始開口，該些第二初始開口沿著該第二方向延伸；以及

圖案化該另一犧牲層以及該第一掩模圖案，以形成另一部分的該些第二開口圖案。

3.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該圖案分裂制作工藝包含：

形成一個掩模結構，覆蓋在該第一掩模圖案上；

部分移除該掩模結構，以在該掩模結構內形成多個第一初始開口，該些第一初始開口沿著該第二方向延伸；

進一步移除該掩模結構，以在該掩模結構內形成多個第二初始開口，該些第二初始開口沿著該第二方向延伸；以及

圖案化該第一掩模圖案，以形成該些第二開口圖案。

4.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該第二方向垂直于該第一方向。

5.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該第二方向不垂直于該第一方向。

6.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，各該圖案呈一平行四邊形。

7.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，各該圖案呈一矩形或正方形。

8.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該材料層包含導電層。

9.依據權利要求8所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，還包含：

在該基底上形成一介電層；

在該介電層內形成多個插塞；以及

在該些插塞以及該介電層上形成該導電層，其中，該些圖案對位于該些插塞并分別接觸該些插塞。

10.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該材料層包含硬掩模層。

11.依據權利要求10所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，還包含：

在該基底上形成一介電層；

在該介電層內形成多個插塞；

在該些插塞以及該介電層上形成一導電層，其中，該硬掩模層是形成在該導電層上；以及

利用該些圖案，圖案化該導電層，以在該導電層上形成多個導電圖案。

12.依據權利要求11所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該些導電圖案對位于該些插塞并分別接觸該些插塞。

13.依據權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該基底包含存儲區以及周邊區，且該些第一掩模圖案與第二開口圖案是形成在該存儲區內。