[發明專利]一種多晶硅料提純方法

在審

• 申請號: 201710496817.6
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107416840A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 張兆民
• 申請（專利權）人: 張兆民
• 主分類號: C01B33/039
• 分類號: C01B33/039
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及多晶硅料提純技術領域，特別是一種多晶硅料提純方法。

背景技術

多晶硅是太陽能電池生產的重要原材料，要求其純度在5-6N數量級。物理法提純多晶硅，投資少，見效快，對環境友好，是一種由前途的多晶硅提純技術。物理法提純多晶硅包括酸洗法、合金法、真空熔煉法、定向凝固法、造渣法和電解法等，其中酸洗法以其能量消耗少，提純效率高、工藝簡單，生產成本低廉而被逐漸推廣使用。

中國發明專利申請CN 106587070 A公開了一種多晶硅的提純方法，包括以下步驟：A：將原料多晶硅研磨至粒度為36-260μm；B：將研磨后的而多晶硅在氬氣保護下5℃/min的速度從室溫煅燒至1050±5℃，保持0.5h；再以1℃/min速度繼續加熱至1250±50℃，保持0.5h，加熱的同時不斷抽氣，然后將硅在冷水中快速淬火至室溫，金屬硅表面出現炸紋；C：將淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗。

發明內容

本發明需要解決的技術問題是提供一種可以降低硅片表面反射率的單晶硅制絨添加劑。

為解決上述的技術問題，本發明的一種多晶硅料提純方法，包括以下步驟，

三氯氫硅的合成，通過硅粉與氯化氫合成三氯氫硅；

三氯氫硅的提純，先將三氯氫硅進行前一級粗餾，然后再進行后一級精餾；

多晶硅料的提純，用氫作為還原劑還原已被提純到高純度的三氯氫硅。

進一步的，所述步驟三氯氫硅的合成中反應溫度為70℃-75℃，氯化氫的含水量為0.3％-0.4％。進一步的，所述步驟多晶硅料的提純具體為用氫作為還原劑還原已被提純到高純度的三氯氫硅，使高純硅淀積在1130℃-1250℃的熱載體上。

更進一步的，所述熱載體為高純硅棒，通以電流使其達到所需溫度。

進一步的，所述步驟多晶硅料的提純中氫和三氯氫硅的克分子比值在20-30之間。

采用上述配方后，本發明的多晶硅料提純方法一方面有效的去除了多晶硅料中的雜質，使得多晶硅料純度更高；另一方面提純的多晶硅能夠完全滿足太陽能電池的需求；提純的廢棄物可以循環使用，不破壞環境。

具體實施方式

本發明的一種多晶硅料提純方法，包括以下步驟，

三氯氫硅的合成，通過硅粉與氯化氫合成三氯氫硅；

三氯氫硅的提純，先將三氯氫硅進行前一級粗餾，然后再進行后一級精餾；

多晶硅料的提純，用氫作為還原劑還原已被提純到高純度的三氯氫硅。

進一步的，所述步驟三氯氫硅的合成中反應溫度為70℃-75℃，氯化氫的含水量為0.3％-0.4％。三氯氫硅由硅粉和氯化氫反應合成，上述反應要加熱到所需溫度才能進行，又因是放熱反應，反應開始后能自動持續進行。但能量如不能及時導出，溫度身高后反而將影響產品收率。另外，影響產率的重要因素還有氯化氫的含水量。

進一步的，所述步驟多晶硅料的提純具體為用氫作為還原劑還原已被提純到高純度的三氯氫硅，使高純硅淀積在1130℃-1250℃的熱載體上。

更進一步的，所述熱載體為高純硅棒，通以電流使其達到所需溫度。

進一步的，所述步驟多晶硅料的提純中氫和三氯氫硅的克分子比值在20-30之間。

雖然以上描述了本發明的具體實施方式，但是本領域熟練技術人員應當理解，這些僅是舉例說明，可以對本實施方式作出多種變更或修改，而不背離發明的原理和實質，本發明的保護范圍僅由所附權利要求書限定。