[發明專利]一種多晶硅料提純方法在審
| 申請號： | 201710496817.6 | 申請日： | 2017-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN107416840A | 公開（公告）日： | 2017-12-01 |
| 發明（設計）人： | 張兆民 | 申請（專利權）人： | 張兆民 |
| 主分類號： | C01B33/039 | 分類號： | C01B33/039 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 提純 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅料提純方法，其特征在于，包括以下步驟，
三氯氫硅的合成，通過硅粉與氯化氫合成三氯氫硅；
三氯氫硅的提純，先將三氯氫硅進行前一級粗餾，然后再進行后一級精餾；
多晶硅料的提純，用氫作為還原劑還原已被提純到高純度的三氯氫硅。
2.按照權利要求1所述的一種多晶硅料提純方法，其特征在于：所述步驟三氯氫硅的合成中反應溫度為70℃-75℃，氯化氫的含水量為0.3％-0.4％。
3.按照權利要求1所述的一種多晶硅料提純方法，其特征在于：所述步驟多晶硅料的提純具體為用氫作為還原劑還原已被提純到高純度的三氯氫硅，使高純硅淀積在1130℃-1250℃的熱載體上。
4.按照權利要求3所述的一種多晶硅料提純方法，其特征在于：所述熱載體為高純硅棒，通以電流使其達到所需溫度。
5.按照權利要求1所述的一種多晶硅料提純方法，其特征在于：所述步驟多晶硅料的提純中氫和三氯氫硅的克分子比值在20-30之間。
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