[發明專利]多晶硅片的制絨工藝

在審

• 申請號: 201710496812.3
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107059136A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 張兆民
• 申請（專利權）人: 張兆民
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及多晶硅片生產工藝技術領域，特別是一種多晶硅片的制絨工藝。

背景技術

近年來，多晶硅太陽能電池以其轉換效率較高、性能穩定和成本適中的特點而得到越來越廣泛的應用，其產量已超越單晶硅，占據了市場的主導地位。

為了提高太陽能電池的電池轉換效率，在制作時，需要先對硅片進行化學處理，使得硅表面做成一個具有一定形狀的絨面，但是，依照現有技術，在對多晶硅太陽能電池片進行制絨后，所得硅片反射率偏高，且絨面的均勻性較差，多晶硅太陽能電池片的電池轉換效率低。

中國發明專利CN 104009125A公開了一種多晶硅片的制絨工藝，包括以下步驟：(1)在硅片表面噴涂一層碳化硅顆粒；(2)在含有硝酸和氫氟酸的混合液中進行酸制絨；(3)在氫氧化鉀溶液中進行堿制絨；(4)在含有鹽酸和氫氟酸的混合液中進行酸洗；(5)清洗并烘干。

發明內容

本發明需要解決的技術問題是提供一種反射率低、電池轉換效率高的多晶硅片的制絨工藝。

為了解決上述技術問題，本發明的多晶硅片的制絨工藝，包括以下步驟，

(1)切片，將原料硅片切成片狀；

(2)酸制絨，在含有硝酸、氫氟酸、醋酸和去離子水的混合液中進行酸制絨；

(3)在氫氧化鉀溶液中進行堿制絨；

(4)在含有鹽酸和氫氟酸的混合液中進行酸洗；

(5)清洗并烘干；

(6)分光光度計測量。

進一步的，所述步驟(2)混合液中硝酸的質量分數為18-26％，氫氟酸的質量分數為12-16％，醋酸質量分數為8-13％，余量為去離子水，硅片在18-23℃下制絨3-8min。

進一步的，所述步驟(3)中氫氧化鉀的質量分數為10-14％，硅片在30-39℃下制絨3-5min。

進一步的，所述步驟(4)混合液中鹽酸的質量分數為13％，氫氟酸的質量分數為7％，硅片在25℃下酸洗2min。

采用上述工藝后，本發明在多晶硅片的制絨過程中加入了醋酸，可以在更廣泛的范圍內稀釋溶液而保持硝酸的氧化能力，可使腐蝕液的氧化能力在反應過程中保持相對穩定；同時，減小了氫離子濃度使得陰極反應變慢，可使整個腐蝕反應速率隨之變慢，更有利于形成腐蝕坑。

具體實施方式

本發明多晶硅片的制絨工藝，包括以下步驟：

(1)切片，將原料硅片切成片狀；

(2)酸制絨，在含有硝酸、氫氟酸、醋酸和去離子水的混合液中進行酸制絨；

(3)在氫氧化鉀溶液中進行堿制絨；

(4)在含有鹽酸和氫氟酸的混合液中進行酸洗；

(5)清洗并烘干；

(6)分光光度計測量。

進一步的，所述步驟(2)混合液中硝酸的質量分數為18-26％，氫氟酸的質量分數為12-16％，醋酸質量分數為8-13％，余量為去離子水，硅片在18-23℃下制絨3-8min。

進一步的，所述步驟(3)中氫氧化鉀的質量分數為10％-14％，硅片在30-39℃下制絨3-5min。

進一步的，所述步驟(4)混合液中鹽酸的質量分數為13％，氫氟酸的質量分數為7％，硅片在25℃下酸洗2min。

實施方式一：

(1)切片，將原料硅片切成片狀；

(2)酸制絨，在含有硝酸、氫氟酸、醋酸和去離子水的混合液中進行酸制絨。其中，混合液中硝酸的質量分數為18％，氫氟酸的質量分數為12％，醋酸質量分數為8％，余量為去離子水，硅片在18℃下制絨5min。

(3)在氫氧化鉀溶液中進行堿制絨，其中，氫氧化鉀的質量分數為10％，硅片在35℃下制絨3min。

(4)在含有鹽酸和氫氟酸的混合液中進行酸洗；其中，混合液中鹽酸的質量分數為13％，氫氟酸的質量分數為7％，硅片在25℃下酸洗2min。

(5)清洗并烘干；在30℃下烘干3min。

(6)分光光度計測量。

實施方式二：

(1)切片，將原料硅片切成片狀；

(2)酸制絨，在含有硝酸、氫氟酸、醋酸和去離子水的混合液中進行酸制絨。其中，混合液中硝酸的質量分數為26％，氫氟酸的質量分數為16％，醋酸質量分數為13％，余量為去離子水，硅片在23℃下制絨5min。

(3)在氫氧化鉀溶液中進行堿制絨，其中，氫氧化鉀的質量分數為14％，硅片在30℃下制絨5min。