[發明專利]一種閃存存儲電路的抗總劑量效應加固方法有效
| 申請號： | 201710495884.6 | 申請日： | 2017-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN109119110B | 公開（公告）日： | 2021-02-23 |
| 發明（設計）人： | 戴茜茜;畢津順;李梅;劉明;李博;習凱 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667 | 代理人： | 趙永剛 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 閃存 存儲 電路 劑量 效應 加固 方法 | ||
1.一種閃存存儲電路的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，包括：
步驟一、提供閃存存儲陣列；
步驟二、將初始信息編譯為編碼信息，并將所述編碼信息輸入所述閃存存儲陣列，其中所述編碼信息中的二進制代碼“0”和“1”的數量相等；
步驟三、對所述閃存存儲陣列中的所述編碼信息進行判讀，并將判讀得到的二進制代碼“0”和“1”的數量進行統計；
步驟四、比較所述判讀得到的二進制代碼“0”和“1”的數量統計結果，
當所述判讀得到的二進制代碼“0”和“1”的數量相等，則將所述編碼信息譯碼讀出；
當所述判讀得到的二進制代碼“0”和“1”的數量不等，則調整所述閃存存儲陣列的讀取電壓，直至所述判讀得到的二進制代碼“0”和“1”的數量相等；
其中，在所述步驟二中，所述編碼信息使用兩位二進制數“01”代替所述初始信息的一位二進制數“0”，所述編碼信息使用兩位二進制數“10”代替所述初始信息的一位二進制數“1”。
2.根據權利要求1所述的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，在所述步驟二中，所述編碼信息的二進制位數是所述初始信息的二進制數位數的兩倍。
3.根據權利要求1所述的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，所述步驟三還包括使用靈敏放大器對所述閃存存儲陣列中的編碼信息進行判讀。
4.根據權利要求1所述的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，所述步驟三包括通過使用加法器對所述判讀得到的二進制代碼“0”和“1”的數量進行統計。
5.根據權利要求4所述的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，所述步驟三包括使用兩個獨立的加法器對所述判讀得到的二進制代碼“0”和“1”分別進行數量加合。
6.根據權利要求3所述的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，所述步驟四還包括當所述判讀得到的二進制代碼“0”和“1”的數量不等，則反饋至所述靈敏放大器。
7.根據權利要求1所述的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，所述步驟四中的讀取電壓處于存儲二進制數“1”的所述閃存存儲陣列的晶體管的最大閾值電壓和存儲二進制數“0”的所述閃存存儲陣列的晶體管的最小閾值電壓之間的存儲窗口中。
8.根據權利要求7所述的抗總劑量效應加固方法，其特征在于，當受到總劑量輻照效應后，所述存儲二進制數“0”的所述閃存存儲陣列的晶體管的最小閾值電壓降低。
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