[發(fā)明專利]防指紋保護薄膜鍍膜的制備方法及防指紋保護薄膜鍍膜制品

在審

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• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107227444A
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘振強;朱惠欽
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東振華科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/12
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務(wù)所有限公司44100
• 代理人: 曹愛紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜鍍膜產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種防指紋薄膜鍍膜方法及防指紋保護薄膜鍍膜制品。

背景技術(shù)

防指紋薄膜作為一種基材表面防護層，廣泛的應(yīng)用于電子顯示行業(yè)觸摸屏、玻璃制品表面、金屬五金件表面和塑料薄膜表面的防護。

防指紋薄膜的基本原理包括兩種：

第一種，是在基材表面通過某種方式覆蓋一層低表面性能的防護層，斥水斥油表面能夠有效的防止油脂在表面的殘留，起到防指紋的效果；

第二種，是在基材表面形成微納結(jié)構(gòu)，使得油脂在基材表面盡可能的分散分布，油脂不能夠在表面附著，同樣也能夠達到基材表面防指紋的效果。

目前防指紋的制備工藝主要有防指紋薄膜的制備和表面微納結(jié)構(gòu)的制備。

(1)防指紋薄膜的制備可以通過在基材表面涂布防指紋防護液，防護液通常含有有機硅類助劑和有機氟類助劑，UV固化涂布液在UV固化后，在基材表面形成低表面能涂層，起到防指紋的效果；防護液成分配置比較復(fù)雜，并且通常添加有有機類物質(zhì)，在UV固化過程中會造成有機物的揮發(fā)，造成污染。此外也可以通過真空鍍膜的方式，在反應(yīng)氣氛中采用磁控濺射在基材表面形成防指紋薄膜，磁控濺射采用的靶材為聚四氟乙烯和氟化鎂的混合物，在CF₄或SiF₄反應(yīng)氣體中進行磁控濺射，在基材表面形成防指紋薄膜。制備工藝過程中對防指紋薄膜的成分控制比較困難，并且鍍膜過程中需要對生產(chǎn)的尾氣進行凈化處理。

(2)微納結(jié)構(gòu)防指紋結(jié)構(gòu)，主要是在基材表面形成規(guī)則且粗糙不平的類似于荷葉表面的微納米級結(jié)構(gòu)，可通過基材表面化學(xué)刻蝕方式，在基材表面形成微納結(jié)構(gòu)，或者結(jié)合薄膜涂布或磁控濺射鍍膜方式，實現(xiàn)了無機粒子和低表面能材料在基材表面的有機結(jié)合，實現(xiàn)基材表面防指紋。相比較涂布和真空鍍膜方式，微納結(jié)構(gòu)的制備結(jié)構(gòu)均一性更難控制，采用化學(xué)溶液刻蝕的時間更長，難以用于工業(yè)化生產(chǎn)。

因此，研發(fā)一種能實現(xiàn)大批量產(chǎn)品表面的防指紋薄膜制備，能提高生產(chǎn)效率，能制備出具有優(yōu)良的附著力和耐摩擦性能的防指紋薄膜鍍膜及其制備方法迫在眉睫。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種防指紋保護薄膜鍍膜方法，該薄膜鍍膜方法可以實現(xiàn)大批量產(chǎn)品表面的防指紋薄膜制備，提高設(shè)備的生產(chǎn)效率，同時制得的防指紋保護薄膜具有較強的附著力和耐摩擦性能。

為了達到上述技術(shù)目的，本發(fā)明是按照以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)的：

本發(fā)明所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其具體步驟是：

(1)將待鍍基材進行鍍膜前的預(yù)清洗處理；

(2)將待鍍基材放置在真空室內(nèi)，真空熱蒸發(fā)用防指紋薄膜AF材料，對真空室進行抽低真空，在真空室低真空度的條件下，開啟離子源放電系統(tǒng)，對待鍍基材通過離子源放電處理系統(tǒng)進行表面放電處理；

(3)對真空室進行抽高真空，在高真空度條件下，采用磁控濺射濺射氧化硅或者氧化鋁靶材，在基材表面沉積氧化硅或者氧化鋁硬質(zhì)過渡層；

(4)待鍍基材在沉積氧化硅或者氧化鋁硬質(zhì)過渡層后，再采用電阻式熱蒸發(fā)的形式，蒸發(fā)防指紋薄膜AF材料，在基材表面生成均勻的防指紋薄膜AF材料；

(5)真空室內(nèi)，防指紋薄膜AF材料蒸發(fā)完成后，關(guān)閉熱蒸發(fā)電源，完成整個防指紋薄膜的制備流程；

(6)真空室恢復(fù)大氣壓后，取出完成防指紋薄膜鍍制的產(chǎn)品，進行表面水接觸角和耐磨性能測試。

作為上述技術(shù)的進一步改進，上述步驟(1)中所述的鍍膜前的預(yù)清洗處理為對待鍍基材進行超聲清洗，其依次采用丙酮，酒精，去離子水超聲處理，超聲時間分別為15分鐘。

作為上述技術(shù)的更進一步改進，上述步驟(2)中離子源放電處理條件為：真空室內(nèi)真空度的范圍值為2-10Pa，所述真空室內(nèi)真空度的優(yōu)選為5Pa，常溫條件下放電處理5-15分鐘，優(yōu)選放電處理時間為15分鐘，以達到活化基材表面的目的。

作為上述技術(shù)的更進一步改進，上述步驟(3)中，所述磁控濺射方式濺射氧化硅或者氧化鋁硬質(zhì)過渡層，磁控濺射的真空度為1.0×10^-3Pa-5.0×10^-3Pa，真空度優(yōu)選為3.0×10^-3Pa。采用的是中頻電源或者射頻電源進行濺射。

作為上述技術(shù)的更進一步改進，上述步驟(3)中，所述氧化硅或者氧化鋁硬質(zhì)過渡層的厚度范圍值為10-100nm，優(yōu)選為50nm。