[發明專利]防指紋保護薄膜鍍膜的制備方法及防指紋保護薄膜鍍膜制品

在審

• 申請號: 201710495140.4
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107227444A
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 潘振強;朱惠欽
• 申請（專利權）人: 廣東振華科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/12
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司44100
• 代理人: 曹愛紅

1.一種防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其具體步驟是：

(1)將待鍍基材進行鍍膜前的預清洗處理；

(2)將待鍍基材放置在真空室內，真空熱蒸發用防指紋薄膜AF材料，對真空室進行抽低真空，在真空室低真空度的條件下，開啟離子源放電系統，對待鍍基材通過離子源放電處理系統，進行表面放電處理；

(3)對真空室進行抽高真空，在高真空度條件下，采用磁控濺射濺射氧化硅或者氧化鋁靶材，在基材表面沉積氧化硅或者氧化鋁硬質過渡層；

(4)待鍍基材在沉積氧化硅或者氧化鋁硬質過渡層后，再采用電阻式熱蒸發的形式，蒸發防指紋薄膜AF材料，在基材表面生成均勻的防指紋薄膜AF材料；

(5)真空室內，防指紋薄膜AF材料蒸發完成后，關閉熱蒸發電源，完成整個防指紋薄膜的制備流程；

(6)真空室恢復大氣壓后，取出完成防指紋薄膜鍍制的產品,并進行表面水接觸角和耐磨性能測試。

2.根據權利要求1所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于:

上述步驟(1)中所述的鍍膜前的預清洗處理為待鍍基材進行超聲清洗，其依次采用丙酮，酒精，去離子水超聲處理，超聲時間分別為15分鐘。

3.根據權利要求1所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(2)中離子源放電處理條件為：真空室內真空度的范圍值為2-10Pa，常溫條件下放電處理5-15分鐘。

4.根據權利要求3所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于：所述真空室內真空度的優選為5Pa，放電處理的時間優選為15分鐘。

5.根據權利要求1所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(3)中，所述磁控濺射方式濺射氧化硅或者氧化鋁硬質過渡層，磁控濺射的真空度為1.0×10^-3Pa-5.0×10^-3Pa，采用的是中頻電源或者射頻電源進行濺射。

6.根據權利要求5所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于：所述真空室內真空度的優選為3.0×10^-3Pa。

7.根據權利要求1所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(3)中，所述氧化硅或者氧化鋁硬質過渡層的厚度范圍值為10-100nm。

8.根據權利要求7所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于：所述氧化硅或者氧化鋁硬質過渡層的厚度優選為50nm。

9.根據權利要求1所述的防指紋保護膜鍍膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(4)中，所述熱蒸發防指紋薄膜AF材料的真空度范圍為1.0×10^-3Pa-5.0×10^-3Pa，優選氣壓為3.0×10^-3Pa。

10.根據權利要求1至9任一項所述的防指紋薄膜鍍膜的制備方法制得的防指紋薄膜鍍膜制品，其特征在于：依次包括成層狀結構布置的待鍍基材、硬質過渡層及防指紋保護薄膜層。