[發明專利]單分流器倒相電路中的電力方形扁平無引線封裝

有效

• 申請號: 201710493835.9
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN107293531B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 迪安·費爾南多;羅埃爾·巴爾博薩;T·塔卡哈施
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技美國公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/49
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒

本申請是申請日為2014年01月27日，申請號為201410039117.0，發明名稱為“單分流器倒相電路中的電力方形扁平無引線封裝”的申請的分案申請。

本申請要求序列號為61/774,484，申請日期為2013年3月7日，名稱為“Power Quad Flat No-Lead(PQFN)Package in a Single Shunt Inverter Circuit”的臨時申請的利益和優先權。本申請也是序列號為13/662,244，申請日期為2012年10月26日，并且名稱為“Compact Wirebonded Power Quad Flat No-Lead(PQFN)Package”的部分繼續申請，其依次要求序列號為13/034,519，申請日期為2011年2月24日，并且名稱為“Multi-Chip Module(MCM)Power Quad Flat No-Lead(PQFN)Semiconductor Package Utilizing a Leadframe for Electrical Interconnections”的申請的優先權，其依次要求序列號為61/459,527，申請日期為2010年12月13日，并且名稱為“Low Cost Leadframe Based High Power Density Full Bridge Power Device”的臨時申請的優先權。本申請要求所有以上認定的申請的利益和優先權。而且，所有以上認定的申請的公開和內容據此通過引用完全并入本申請。

技術領域

本發明申請涉及單分流器倒相電路中的電力方形扁平無引線封裝。

背景技術

正如這里所使用的，術語“III-V族”指代的是包括至少一種III族元素和至少一種V族元素的化合物半導體。例如，III-V族半導體可采用III-氮化物半導體的形式。“III-氮化物”或“III-N”，指的是包括氮和至少一種III族元素，諸如鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)和硼(B)的化合物半導體并且包括但不限于其合金的任何一種，例如，諸如氮化鋁鎵(Al_xGa_(1-x)N)，氮化銦鎵(In_yGa_(1-y)N)、氮化鋁銦鎵(Al_xIn_yGa_(1-x-y)N、氮磷砷化鎵(GaAs_aP_bN_(1-a-b))、氮磷砷化鋁銦鎵(Al_xIn_yGa_(1-x-y)As_aP_bN_(1-a-b))。III-氮化物一般也指的是任何極性，包括但不限于Ga-極性、N-極性、半極性或非極性晶體方向。III-氮化物材料也可包括或者纖鋅礦、閃鋅礦或者混合多型體，并且可包括單晶、單晶體、多晶或無定形結構。于此使用的氮化鎵或GaN，指的是III-氮化物化合物半導體，其中III族元素包括一些或大量的鎵，但是也可包括除鎵以外的其它III族元素。III-V族或GaN晶體管也可指的是復合高電壓增強模式晶體管，其通過將III-V族或GaN晶體管串聯連接低電壓IV族晶體管形成。

而且，于此使用的術語“IV族”指的是包括至少一種IV族元素諸如硅(Si)、鍺(Ge)和碳(C)的半導體，并且也可包括化合物半導體，例如，諸如鍺化硅(SiGe)和碳化硅(SiC)。IV族也指的是包括超過一層的IV族元素或IV族元素的摻雜物以產生應變的IV族材料的半導體材料，并且也可包括基于IV族的復合襯底，例如，諸如絕緣體上的硅(SOI)，通過注入氧進行分離(SIMOX)工藝的襯底，及藍寶石上的硅(SOS)。

組合幾種半導體器件的封裝可簡化電路設計，減少成本并且通過使相關的和依賴的電路部件保持靠近，提供更高的效率和改善的性能。而且，與使用部件的獨立封裝相比，這些封裝可促進應用集成和更好的電性能和熱性能。

方形扁平無引線(QFN)封裝是用于電氣部件諸如電力半導體器件的無引線封裝。QFN封裝可使用引線框和鍵合線以連接容納在其中的電氣部件。QFN封裝經常具有有限的復雜性且電氣布線可具有挑戰性，特別是對于更復雜的配置。這樣，QFN封裝經常具有簡單的配置且容納小數量的電氣部件。

發明內容