[發明專利]單分流器倒相電路中的電力方形扁平無引線封裝

有效

• 申請號: 201710493835.9
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN107293531B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 迪安·費爾南多;羅埃爾·巴爾博薩;T·塔卡哈施
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技美國公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/49
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒

1.一種電力方形扁平無引線PQFN封裝，包括：

引線框；以及

驅動器集成電路IC，其位于所述引線框的驅動器IC管芯墊上，其中所述驅動器IC包括：

第一電平位移器，其配置成輸出信號至第一選通驅動器以驅動所述PQFN封裝的橋電路的高壓側電力晶體管；以及

第二電平位移器，其配置成輸出信號至所述驅動器IC的第二選通驅動器以驅動所述PQFN封裝的所述橋電路的低壓側電力晶體管。

2.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述驅動器IC還包括輸入邏輯，其耦合到所述第一電平位移器以控制所述第一電平位移器輸出信號至所述第一選通驅動器以驅動所述PQFN封裝的所述橋電路的所述高壓側電力晶體管，并且耦合到所述第二電平位移器以控制所述第二電平位移器輸出信號至所述第二選通驅動器以驅動所述PQFN封裝的所述橋電路的所述低壓側電力晶體管。

3.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述驅動器IC還包括低電壓保護電路，其配置成檢測電源電壓低電壓條件以禁止所述橋電路的切換。

4.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述驅動器IC還包括過電壓保護電路，其配置成輸出指示過電壓條件的信號以禁止所述橋電路的切換。

5.根據權利要求4所述的PQFN封裝，其中所述第一電平位移器被配置成以比所述第二電平位移器被配置成輸出信號至所述第二選通驅動器的幅度更大的幅度輸出信號至所述第一選通驅動器。

6.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側電力晶體管對應于所述橋電路的U-相電力開關、V-相電力開關和W-相電力開關之一。

7.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述低壓側電力晶體管對應于所述橋電路的U-相電力開關、V-相電力開關和W-相電力開關之一。

8.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側電力晶體管和所述低壓側電力晶體管中的至少一個對應于快速反相外延二極管場效應晶體管(FREDFET)。

9.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側電力晶體管和所述低壓側電力晶體管中的至少一個對應于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。

10.根據權利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側電力晶體管和所述低壓側電力晶體管中的至少一個對應于III-V族晶體管。

11.一種電力方形扁平無引線PQFN封裝，包括：

引線框；以及

U-相電力開關、V-相電力開關、W-相電力開關和驅動器集成電路IC，所述U-相電力開關、V-相電力開關、W-相電力開關和驅動器IC中的每一個位于所述引線框上，其中所述驅動器IC包括：

第一電平位移器，其配置成輸出信號至第一選通驅動器以驅動所述U-相電力開關；

第二電平位移器，其配置成輸出信號至第二選通驅動器以驅動所述V-相電力開關；以及

第三電平位移器，其配置成輸出信號至第三選通驅動器以驅動所述W-相電力開關。

12.根據權利要求11所述的PQFN封裝，其中所述U-相電力開關、所述V-相電力開關和所述W-相電力開關中的至少一個對應于所述PQFN封裝的橋電路的高壓側電力開關。

13.根據權利要求11所述的PQFN封裝，其中所述U-相電力開關、所述V-相電力開關和所述W-相電力開關中的至少一個對應于所述PQFN封裝的橋電路的低壓側電力開關。

14.根據權利要求11所述的PQFN封裝，其中所述U-相電力開關、所述V-相電力開關和所述W-相電力開關中的至少一個對應于所述PQFN封裝的橋電路的低壓側電力開關，并且所述U-相電力開關、所述V-相電力開關和所述W-相電力開關中的至少一個對應于所述PQFN封裝的所述橋電路的高壓側電力開關。

15.根據權利要求11所述的PQFN封裝，其中所述驅動器IC還包括低電壓保護電路，所述低電壓保護電路配置成檢測電源電壓低電壓條件以禁止包括所述U-相電力開關、所述V-相電力開關和所述W-相電力開關的所述PQFN封裝的橋電路的切換。