[發(fā)明專利]單分流器倒相電路中的電力方形扁平無引線封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710493835.9
• 申請(qǐng)日: 2014-01-27
• 公開（公告）號(hào): CN107293531B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 迪安·費(fèi)爾南多;羅埃爾·巴爾博薩;T·塔卡哈施
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技美國(guó)公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/49
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒

1.一種電力方形扁平無引線PQFN封裝，包括：

引線框；以及

驅(qū)動(dòng)器集成電路IC，其位于所述引線框的驅(qū)動(dòng)器IC管芯墊上，其中所述驅(qū)動(dòng)器IC包括：

第一電平位移器，其配置成輸出信號(hào)至第一選通驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所述PQFN封裝的橋電路的高壓側(cè)電力晶體管；以及

第二電平位移器，其配置成輸出信號(hào)至所述驅(qū)動(dòng)器IC的第二選通驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所述PQFN封裝的所述橋電路的低壓側(cè)電力晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述驅(qū)動(dòng)器IC還包括輸入邏輯，其耦合到所述第一電平位移器以控制所述第一電平位移器輸出信號(hào)至所述第一選通驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所述PQFN封裝的所述橋電路的所述高壓側(cè)電力晶體管，并且耦合到所述第二電平位移器以控制所述第二電平位移器輸出信號(hào)至所述第二選通驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所述PQFN封裝的所述橋電路的所述低壓側(cè)電力晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述驅(qū)動(dòng)器IC還包括低電壓保護(hù)電路，其配置成檢測(cè)電源電壓低電壓條件以禁止所述橋電路的切換。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述驅(qū)動(dòng)器IC還包括過電壓保護(hù)電路，其配置成輸出指示過電壓條件的信號(hào)以禁止所述橋電路的切換。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PQFN封裝，其中所述第一電平位移器被配置成以比所述第二電平位移器被配置成輸出信號(hào)至所述第二選通驅(qū)動(dòng)器的幅度更大的幅度輸出信號(hào)至所述第一選通驅(qū)動(dòng)器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側(cè)電力晶體管對(duì)應(yīng)于所述橋電路的U-相電力開關(guān)、V-相電力開關(guān)和W-相電力開關(guān)之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述低壓側(cè)電力晶體管對(duì)應(yīng)于所述橋電路的U-相電力開關(guān)、V-相電力開關(guān)和W-相電力開關(guān)之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側(cè)電力晶體管和所述低壓側(cè)電力晶體管中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于快速反相外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FREDFET)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側(cè)電力晶體管和所述低壓側(cè)電力晶體管中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PQFN封裝，其中所述高壓側(cè)電力晶體管和所述低壓側(cè)電力晶體管中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于III-V族晶體管。

11.一種電力方形扁平無引線PQFN封裝，包括：

引線框；以及

U-相電力開關(guān)、V-相電力開關(guān)、W-相電力開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器集成電路IC，所述U-相電力開關(guān)、V-相電力開關(guān)、W-相電力開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器IC中的每一個(gè)位于所述引線框上，其中所述驅(qū)動(dòng)器IC包括：

第一電平位移器，其配置成輸出信號(hào)至第一選通驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所述U-相電力開關(guān)；

第二電平位移器，其配置成輸出信號(hào)至第二選通驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所述V-相電力開關(guān)；以及

第三電平位移器，其配置成輸出信號(hào)至第三選通驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)所述W-相電力開關(guān)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的PQFN封裝，其中所述U-相電力開關(guān)、所述V-相電力開關(guān)和所述W-相電力開關(guān)中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于所述PQFN封裝的橋電路的高壓側(cè)電力開關(guān)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的PQFN封裝，其中所述U-相電力開關(guān)、所述V-相電力開關(guān)和所述W-相電力開關(guān)中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于所述PQFN封裝的橋電路的低壓側(cè)電力開關(guān)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的PQFN封裝，其中所述U-相電力開關(guān)、所述V-相電力開關(guān)和所述W-相電力開關(guān)中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于所述PQFN封裝的橋電路的低壓側(cè)電力開關(guān)，并且所述U-相電力開關(guān)、所述V-相電力開關(guān)和所述W-相電力開關(guān)中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于所述PQFN封裝的所述橋電路的高壓側(cè)電力開關(guān)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的PQFN封裝，其中所述驅(qū)動(dòng)器IC還包括低電壓保護(hù)電路，所述低電壓保護(hù)電路配置成檢測(cè)電源電壓低電壓條件以禁止包括所述U-相電力開關(guān)、所述V-相電力開關(guān)和所述W-相電力開關(guān)的所述PQFN封裝的橋電路的切換。