[發明專利]一種引線框架改善封裝的方法及引線框架

在審

• 申請號: 201710491629.4
• 申請日: 2017-06-20
• 公開（公告）號: CN107369624A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 王玲;彭林源
• 申請（專利權）人: 南京矽邦半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 呂朦

技術領域

本發明涉及引線框架技術領域，尤其涉及一種引線框架改善封裝的方法及引線框架。

背景技術

引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料。

圖1為現有技術的引線框架單面結構示意圖，引線框架1’上排列有多個單顆封裝成品2’。在引線框架封裝后道成品切割過程中，后道切割刀的使用壽命評估常常會影響到單顆封裝產品的價格浮動，若切割刀的使用壽命較短，直接影響到產品的售價，也影響到產品在行業中的競爭力。

發明內容

發明目的：為了解決現有技術存在的問題，提高引線框架產品切割刀的使用壽命，本發明提供一種引線框架改善封裝的方法。

本發明的另一目的是提供一種引線框架。

技術方案：一種引線框架改善封裝的方法，包括以下步驟：

S1：確定待改善的引線框架，在引線框架上分出成品區域和非成品區域，所述非成品區域位于成品區域的外圍，所述成品區域用于放置成品；

S2：所述成品區域與非成品區域之間有過渡區域，所述過渡區域的背面增加半蝕刻設計，過渡區域為切割刀軌跡，過渡區域的寬度大于切割刀的厚度；

S3：在非成品區域增加全蝕刻和半蝕刻設計：在非成品區域確定非成品區域的注塑區域和非成品區域的非注塑區域，所述非成品區域的注塑區域位于非成品區域的非注塑區域與成品區域之間，在非成品區域的非注塑區域的正面增加半蝕刻設計，在非成品區域的注塑區域的正面增加全蝕刻設計；

S4：所述成品區域包括多個成品，相鄰成品之間有連接筋，所述連接筋的位置為切割刀軌跡，在所述連接筋的背面增加半蝕刻設計。

優選的，步驟S4中，所述成品為正方形，所述連接筋為十字交叉狀。

優選的，步驟S3中，所述非成品區域的注塑區域布置有多個方形注塑塊。

優選的，步驟S3中，所述非成品區域的注塑區域設有多個矩形全蝕刻區域，矩形全蝕刻區域包括大矩形全蝕刻區域和小矩形全蝕刻區域，部分大矩形全蝕刻區域沿連接筋的延長線分布，部分大矩形全蝕刻區域圍繞在成品區域外圍；所述小矩形全蝕刻區域位于過渡區域的一側，過渡區域的另一側排列有成品的引腳，小矩形全蝕刻區域與成品上相鄰引腳的間隙對齊。

優選的，所述小矩形全蝕刻區域的長度為成品引腳的長度，小矩形全蝕刻區域的寬度為成品引腳的間距。

一種引線框架，包括成品區域和非成品區域，所述非成品區域位于成品區域的外圍，所述成品區域用于放置成品，成品區域與非成品區域之間有過渡區域，所述過渡區域為半蝕刻，過渡區域的寬度大于切割刀的厚度；所述非成品區域包括非成品區域的注塑區域和非成品區域的非注塑區域，非成品區域的注塑區域位于非成品區域的非注塑區域與成品區域之間，非成品區域的非注塑區域的正面為半蝕刻，非成品區域的注塑區域的正面包括多個矩形全蝕刻區域；成品區域包括多個成品，成品用于放置并連接成品，相鄰成品之間有連接筋，所述連接筋的位置為切割刀軌跡，所述連接筋的背面為半蝕刻。

優選的，所述非成品區域的注塑區域設有多個矩形全蝕刻區域，矩形全蝕刻區域包括大矩形全蝕刻區域和小矩形全蝕刻區域，部分大矩形全蝕刻區域沿連接筋的延長線分布，部分大矩形全蝕刻區域圍繞在成品區域外圍；所述小矩形全蝕刻區域排列于過渡區域的一側，過渡區域的另一側排列有成品的引腳，小矩形全蝕刻區域與成品上相鄰引腳的間隙對齊。

優選的，所述小矩形全蝕刻區域的長度為成品引腳的長度，小矩形全蝕刻區域的寬度為成品引腳的間距。

優選的，所述非成品區域的非注塑區域的半蝕刻厚度為引線框架厚度的1/3。

優選的，所述過渡區域的半蝕刻設計深度為框架厚度的1/2；所述連接筋的半蝕刻設計深度為框架厚度的1/2。

有益效果：本發明提供的一種引線框架改善封裝的方法及引線框架，在非成品區域設計半蝕刻面積，由于非成品區域的切割刀軌跡的位置增加了半蝕刻，切割刀所需切割的位置做了減薄，減少了損耗，改善了產品切割工序的技術參數，降低切割刀損耗、減少了切割時間。由于減薄位置均勻對稱，且減薄高度適中，不會大大降低基板本身強度。